[发明专利]形成于全局隔离或局部隔离的衬底上的三维的锗基半导体器件有效
| 申请号： | 201380045169.2 | 申请日： | 2013-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN104584227B | 公开（公告）日： | 2017-04-12 |
| 发明（设计）人： | A·卡佩拉尼;P·保蒂;B·E·贝蒂;A·J·派特 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司72002 | 代理人： | 王英,陈松涛 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 形成 全局 隔离 局部 衬底 三维 半导体器件 | ||
【说明书】：
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