[发明专利]复合型半导体器件有效
| 申请号： | 201380045525.0 | 申请日： | 2013-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN104604133B | 公开（公告）日： | 2017-03-01 |
| 发明（设计）人： | 大岛贤史 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H03K17/08 | 分类号： | H03K17/08;H01L21/822;H01L21/8236;H01L27/04;H01L27/088 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 复合型 半导体器件 | ||
【权利要求书】：
1.一种复合型半导体器件，其包括串联连接的常导通型的第一晶体管和常截止型的第二晶体管，该复合型半导体器件的特征在于：
选择满足(1)式的所述第二晶体管，
其中，Coss：所述第二晶体管的输出电容，Cds：所述第一晶体管的漏极－源极间电容，Cgs：所述第一晶体管的栅极－源极间电容，Vds：电源电压，Vbr：所述第二晶体管的击穿电压。
2.一种复合型半导体器件，其包括串联连接的常导通型的第一晶体管和常截止型的第二晶体管，该复合型半导体器件的特征在于：
选择满足(2)式的所述第一晶体管，
其中，Coss：所述第二晶体管的输出电容，Cds：所述第一晶体管的漏极－源极间电容，Cgs：所述第一晶体管的栅极－源极间电容，Vds：电源电压，Vbr：所述第二晶体管的击穿电压。
3.一种复合型半导体器件，其包括串联连接的常导通型的第一晶体管和常截止型的第二晶体管，该复合型半导体器件的特征在于：
选择电源电压Vds与所述第二晶体管的击穿电压Vbr之比为10以上且满足(3)式的所述第二晶体管，
其中，Coss：所述第二晶体管的输出电容，Cds：所述第一晶体管的漏极－源极间电容。
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