[发明专利]第III族氮化物半导体发光器件及其制造方法

权利要求书

1.一种第III族氮化物半导体发光器件，其包括：

第一电极；

连接至所述第一电极的第一导电型第III族氮化物半导体层；

设置在所述第一导电型第III族氮化物半导体层上的发光层；

设置在所述发光层上的第二导电型第III族氮化物半导体层；

设置在所述第二导电型第III族氮化物半导体层上的包括未掺杂的第III族氮化物半导体层的缓冲层；和

包括多个独立的接触部并且电连接所述接触部的第二电极，所述接触部与通过除去所述缓冲层的一部分而露出的所述第二导电型第III族氮化物半导体层接触，

所述第二电极的一部分设置在所述缓冲层上。

2.根据权利要求1所述的第III族氮化物半导体发光器件，其中所述未掺杂的第III族氮化物半导体层是AlN层。

3.根据权利要求1或2所述的第III族氮化物半导体发光器件，其中所述第二电极包括所述接触部、设置在所述缓冲层上的垫部、和连接所述接触部和所述垫部的配线部。

4.根据权利要求3所述的第III族氮化物半导体发光器件，其进一步包括绝缘层，所述绝缘层位于所述第二电极的正下方，在所述第一导电型第III族氮化物半导体层面对所述第一电极的表面的一部分上。

5.一种第III族氮化物半导体发光器件的制造方法，所述方法包括：

(a)将含有未掺杂的第III族氮化物半导体层的缓冲层、第二导电型第III族氮化物半导体层、发光层和第一导电型第III族氮化物半导体层顺序地形成在生长基板上的步骤；

(b)将第一电极形成在所述第一导电型第III族氮化物半导体层上的步骤；

(c)将所述生长基板除去从而露出所述缓冲层的步骤；

(d)将在步骤(c)中露出的所述缓冲层的一部分除去从而露出所述第二导电型第III族氮化物半导体层的一部分的步骤；和

(e)将第二电极连续形成在步骤(d)中露出的所述第二导电型第III族氮化物半导体层和所述缓冲层上的步骤，

所述第二电极包括多个独立的接触部并且电连接所述接触部，所述接触部与所述第二导电型第III族氮化物半导体层接触。

6.根据权利要求5所述的第III族氮化物半导体发光器件的制造方法，其中所述未掺杂的第III族氮化物半导体层是AlN层。