[发明专利]SiC单晶体的制造方法有效
| 申请号： | 201380045663.9 | 申请日： | 2013-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN104603336B | 公开（公告）日： | 2017-09-29 |
| 发明（设计）人： | 加渡干尚;楠一彦;龟井一人 | 申请（专利权）人： | 丰田自动车株式会社;新日铁住金株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B19/10 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人： | 金光华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | sic 单晶体 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种SiC单晶体的制造方法，使晶种基板接触被放入到坩埚内且具有温度从内部朝向液面降低的温度梯度的Si-C溶液，而晶体生长SiC单晶体，其中，
所述坩埚在所述坩埚的上部具有盖，所述坩埚的深度/内径小于1.71，
所述SiC单晶体的制造方法包括：
利用配置在所述坩埚的周围的加热器，对所述坩埚的侧壁进行加热；以及
将从所述Si-C溶液的液面至液面下10mm的范围的温度梯度设为47℃/cm以上，
在晶体生长SiC单晶体时，在所述晶种基板与所述Si-C溶液之间形成弯月面。
2.根据权利要求1所述的SiC单晶体的制造方法，其特征在于，
所述温度梯度是50℃/cm以上。
3.根据权利要求1所述的SiC单晶体的制造方法，其特征在于，
所述温度梯度是57℃/cm以上。
4.根据权利要求1～3中的任意一项所述的SiC单晶体的制造方法，其特征在于，
所述坩埚的深度/内径是1.14以下。
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