[发明专利]电能存储电池以及用于制造电能存储电池的方法有效
申请号: | 201380046131.7 | 申请日: | 2013-08-01 |
公开(公告)号: | CN104584275B | 公开(公告)日: | 2017-09-15 |
发明(设计)人: | M.凯斯勒;V.德格;A.蒂芬巴赫;A.施密特 | 申请(专利权)人: | 罗伯特·博世有限公司 |
主分类号: | H01M2/26 | 分类号: | H01M2/26;H01M4/70;H01M10/04;H01M10/0585;H01M6/12;H01M6/46;H01M10/28 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人: | 卢江,胡莉莉 |
地址: | 德国斯*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 电能 存储 电池 以及 用于 制造 方法 | ||
1.电能存储电池(10),具有:
多个第一平面电极薄膜(1),所述第一平面电极薄膜分别在一个长边上具有凹口(2e);以及
多个第二平面电极薄膜(3),所述第二平面电极薄膜分别在一个长边上具有与所述凹口(2e)相符的接触凸起(4c),
其中所述第一平面电极薄膜(1)和所述第二平面电极薄膜(3)相互平面平行并交替地被堆叠为存储电池堆栈,使得所述接触凸起(4c)分别交替地与所述凹口(2e)相重叠。
2.根据权利要求1所述的电能存储电池(10),其中所述第一和第二平面电极薄膜(1;3)构成所述电能存储电池(10)的阳极薄膜或阴极薄膜。
3.根据权利要求1和2之一所述的电能存储电池(10),其中所述凹口(2e)和所述接触凸起(4c)具有矩形的轮廓。
4.根据权利要求1和2之一所述的电能存储电池(10),其中所述凹口(2e)和所述接触凸起(4c)分别被构造在所述第一或第二平面电极薄膜(1;3)的长边的中间。
5.根据权利要求1和2之一所述的电能存储电池(10),另外具有:
第一平面接触元件(5),所述第一平面接触元件被布置在垂直于所述第一平面电极薄膜(1)的延伸平面的延伸平面中,并且所述第一平面接触元件与围绕所述凹口(2e)的接触区域(2c,2d)电接触;
第二平面接触元件(6),所述第二平面接触元件被布置在垂直于所述第二平面电极薄膜(3)的延伸平面的延伸平面中,并且所述第二平面接触元件与所述接触凸起(4c)电接触;以及
绝缘层(7),所述绝缘层被布置在所述第一平面接触元件(5)与所述第二平面接触元件(6)之间,并且所述绝缘层将所述第一平面接触元件(5)与所述第二平面接触元件(6)电绝缘。
6.用于制造电能存储电池(10)的方法(30),具有以下的步骤:
交替布置多个第一平面电极薄膜(1)和多个第二平面电极薄膜(3),其中所述第一平面电极薄膜分别在一个长边上具有凹口(2e),所述第二平面电极薄膜分别在一个长边上具有与所述凹口(2e)相符的接触凸起(4c),其中所述第一平面电极薄膜(1)和所述第二平面电极薄膜(3)相互平面平行地交替地被堆叠为存储电池堆栈,使得所述接触凸起(4c)分别交替地与所述凹口(2e)重叠;
将围绕所述凹口(2e)的接触区域(2c,2d)与第一平面接触元件(5)电接触(32),所述第一平面接触元件被布置在垂直于所述第一平面电极薄膜(1)的延伸平面的延伸平面中;以及
将所述接触凸起(4c)与第二平面接触元件(6)电接触(33),所述第二平面接触元件被布置在垂直于所述第一平面电极薄膜(1)的延伸平面的延伸平面中。
7.根据权利要求6所述的方法(30),另外具有以下的步骤:
在所述第一平面接触元件(5)与所述第二平面接触元件(6)之间构造绝缘层(7),所述绝缘层将所述第一平面接触元件(5)与所述第二平面接触元件(6)电绝缘。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于罗伯特·博世有限公司,未经罗伯特·博世有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201380046131.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:锂二次电池及其制造方法
- 下一篇:电池组