[发明专利]单晶的制造装置、用于该制造装置的坩埚以及单晶的制造方法

权利要求书

1.一种单晶的制造装置，其用于利用溶液生长法制造单晶，其中，该制造装置包括：

晶种轴，其具有用于安装晶种的下端面；

坩埚，其容纳成为所述单晶的原料的溶液；以及

驱动源，其使所述坩埚旋转，并且使所述坩埚的转速变化，

所述坩埚的内周面包含横切形状为非圆形的流动控制面。

2.根据权利要求1所述的单晶的制造装置，其中，

所述流动控制面的横切形状为点对称。

3.根据权利要求2所述的单晶的制造装置，其中，

所述流动控制面的横切形状为椭圆形。

4.根据权利要求1～3中任意一项所述的单晶的制造装置，其中，

所述坩埚包括：

筒部；

底部，其位于所述筒部的下端；以及

流动控制部，其配置为与所述筒部相接触，并具有上下方向延伸的孔，

在所述流动控制部中，所述孔的内表面为所述流动控制面。

5.根据权利要求4所述的单晶的制造装置，其中，

所述流动控制部与所述底部相接触。

6.根据权利要求4或5所述的单晶的制造装置，其中，

所述流动控制部的外周面包含：

第1外周面，其与所述筒部相接触；以及

第2外周面，其形成于与所述筒部分离的位置。

7.根据权利要求1～6中任意一项所述的单晶的制造装置，其用于制造单晶，其中，

所述晶种是SiC晶种，所述溶液是Si－C溶液。

8.一种坩埚，其在用于利用溶液生长法制造单晶的制造装置中使用，并容纳所述单晶的原料，其中，

所述坩埚包括内周面，

所述内周面包含横切形状为非圆形的流动控制面。

9.一种单晶的制造方法，其是利用溶液生长法制造单晶的制造方法，其中，

该制造方法包括：

准备具有安装有晶种的下端面的晶种轴的工序；

准备坩埚的工序，其中，该坩埚具有包含横切形状为非圆形的流动控制面的内周面，且该坩埚用于容纳成为所述单晶的原料的溶液；

生成所述溶液的工序；以及

使所述晶种与所述溶液接触而使所述单晶生长的工序，

在使所述单晶生长的工序中，

使所述坩埚旋转，并且使所述坩埚的转速变化。