[发明专利]半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括如下工序：

准备在一面侧形成有凹部(3a，20a)的半导体基板(1～3，20)；

在所述凹部的内壁面形成薄膜(5，21)；

在形成了所述薄膜后，将掩模构件(10，22)以使所述凹部内残留为空洞并且将该掩模构件(10，22)架设在该凹部上的方式配置在所述薄膜之上；

通过光刻，在所述第一掩模构件中与所述凹部对应的位置形成孔(10a，22a)；

通过使用了所述掩模构件的各向异性干刻，进行通过所述孔而在与该孔对应的位置将所述薄膜去除的加工。

2.一种半导体装置的制造方法，是如下半导体装置的制造方法，该半导体装置包括：

在一面侧具有与元件连接的连接部(4)的第一半导体基板(1)；以及

与所述第一半导体基板的所述一面侧贴合的第二半导体基板(3)，

所述第二半导体基板具备具有贯通孔(3a)和导体层(6)的贯通电极构造，该贯通孔(3a)从所述第二半导体基板的与所述第一半导体基板相反一侧的表面形成于该第二半导体基板，该导体层(6)配置在所述贯通孔内，并与所述连接部连接，

所述半导体装置的制造方法的特征在于，包括如下工序：

准备形成了所述元件以及所述连接部的所述第一半导体基板；

在所述第一半导体基板的所述一面侧贴合所述第二半导体基板；

在贴合于所述第一半导体基板后，在所述第二半导体基板中与所述连接部对应的位置，从与所述第一半导体基板相反一侧的表面对所述第二半导体基板进行蚀刻，从而形成所述贯通孔；

包括所述贯通孔的内壁面以及在该贯通孔露出的所述连接部在内，在所述第二半导体基板的表面形成绝缘膜(5)；

在形成了所述绝缘膜后，将第一掩模构件(10)以将所述贯通孔内残留为空洞并且将该第一掩模构件(10)架设在该贯通孔上的方式配置在所述绝缘膜之上；

通过光刻，在所述第一掩模构件中与所述贯通孔对应的位置形成孔(10a)；

通过使用了所述第一掩模构件的各向异性干刻，通过所述孔而在与该孔对应的位置将所述绝缘膜去除，形成用于使所述连接部露出并使所述连接部与所述导体层接触的接触孔(5a)。

3.如权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

在形成所述孔的工序中，将所述孔的口径形成为比所述贯通孔的口径小。

4.如权利要求2或3所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

在形成所述贯通孔的工序中，以随着从所述第二半导体基板的与所述第一半导体基板相反一侧的表面离开而开口面积逐渐缩小的正锥形形状形成所述贯通孔。

5.如权利要求2至4中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，包括如下工序：

在形成所述接触孔的工序之后，包括所述接触孔内在内在所述绝缘膜的表面成膜出所述导体层，从而使所述导体层与所述连接部通过所述接触孔而接触的工序。

6.如权利要求5所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，包括如下工序：

在形成了所述导体层后，将第二掩模构件(11)以将所述贯通孔内残留为空洞并且将该第二掩模构件(11)架设在该贯通孔上的方式配置在所述导体层之上；

通过光刻，使所述第二掩模构件中的与所述导体层的不需要部分对应的位置开口；

通过使用了所述第二掩模构件的蚀刻，将所述导体层的不需要部分去除而对该导体层进行图案形成。

7.如权利要求6所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，包括如下工序：

在对所述导体层进行了图案形成后，在所述导体层之上成膜出钝化膜(7)；

在形成了所述钝化膜后，将第3掩模构件(12)以将所述贯通孔内残留为空洞并且将第3掩模构件(12)架设在该贯通孔上的方式配置在所述钝化膜之上；

通过光刻，使所述第3掩模构件中与所述钝化膜的不需要部分对应的位置开口；

通过使用了所述第3掩模构件的蚀刻，将所述钝化膜的不需要部分去除而对该钝化膜进行图案形成。