[发明专利]III族氮化物复合衬底及其制造方法以及制造III族氮化物半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201380046378.9 | 申请日： | 2013-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN104641453B | 公开（公告）日： | 2018-03-30 |
| 发明（设计）人： | 石桥惠二;八乡昭广;广村友纪;松本直树;中畑成二;中西文毅;柳泽拓弥;上松康二;关裕纪;山本喜之;善积祐介;三上英则 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司11219 | 代理人： | 李兰,孙志湧 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | iii 氮化物 复合 衬底 及其 制造 方法 以及 半导体器件 | ||
1.一种III族氮化物复合衬底，包括III族氮化物膜以及由化学组成不同于所述III族氮化物膜的材料形成的支撑衬底，
所述III族氮化物膜以直接方式和间接方式中的一种接合至所述支撑衬底，
所述III族氮化物膜具有10μm或更大的厚度，并且
所述III族氮化物复合衬底的III族氮化物膜侧的主表面的薄层电阻为200Ω/sq或更小，其中
接合所述III族氮化物膜和所述支撑衬底的接合区的面积相对于主表面的面积为70％或更大，并且
未接合所述III族氮化物膜和所述支撑衬底的非接合区包括至少一个非接合部分区，并且所述非接合部分区是在径向上具有小于20mm的最大尺寸的小非接合部分区。
2.根据权利要求1所述的III族氮化物复合衬底，其中，未接合所述III族氮化物膜和所述支撑衬底的非接合区包括至少一个非接合部分区，并且所述非接合部分区是未邻接所述主表面周边的内部非接合部分区。
3.根据权利要求1所述的III族氮化物复合衬底，其中，所述III族氮化物膜具有主表面通孔，并且所述主表面通孔的面积相对于所述主表面的面积为10％或更小。
4.根据权利要求1所述的III族氮化物复合衬底，其中，所述III族氮化物膜和所述支撑衬底之间的接合界面包括含金属的杂质，并且所述杂质的浓度为1×1010cm-2或更大。
5.根据权利要求1所述的III族氮化物复合衬底，其中，所述III族氮化物膜的热膨胀系数大于所述支撑衬底的热膨胀系数的0.7倍且小于所述支撑衬底的热膨胀系数的1.4倍。
6.根据权利要求1所述的III族氮化物复合衬底，其中，所述支撑衬底具有1MNm-2/3或更大的断裂韧度，并且所述支撑衬底具有50μm或更大的厚度。
7.根据权利要求1所述的III族氮化物复合衬底，其中，所述间接方式是将接合膜插入所述III族氮化物膜和所述支撑衬底之间的方式。
8.一种制造根据权利要求1所述的III族氮化物复合衬底的方法，包括以下步骤：
以直接方式和间接方式中的一种将所述III族氮化物膜和所述支撑衬底彼此结合；以及
减少彼此结合的所述III族氮化物膜和所述支撑衬底中的至少一个的厚度。
9.一种采用根据权利要求1所述的III族氮化物复合衬底来制造III族氮化物半导体器件的方法，包括以下步骤：
制备所述III族氮化物复合衬底；以及
在所述III族氮化物复合衬底的所述III族氮化物膜侧的主表面上生长至少一个III族氮化物层。
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