[发明专利]通过电子回旋共振(ECR)从气态介质产生沿轴线具有高范围的等离子体的设备有效
申请号: | 201380046725.8 | 申请日: | 2013-09-04 |
公开(公告)号: | CN104620682B | 公开(公告)日: | 2017-09-05 |
发明(设计)人: | 贝亚特·施密特;克里斯托弗·埃奥;菲利普·毛林-佩里耶 | 申请(专利权)人: | H.E.F.公司 |
主分类号: | H05H1/46 | 分类号: | H05H1/46;H01J37/32 |
代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司11262 | 代理人: | 周靖,郑霞 |
地址: | 法国昂德雷*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 通过 电子 回旋 共振 ecr 气态 介质 产生 轴线 具有 范围 等离子体 设备 | ||
1.一种用于从气态介质通过电子回旋共振ECR产生沿轴线有延长的等离子体的设备,所述设备包括至少两个同轴波导(4),每个同轴波导由中心导体(1)和外部导体(2)形成,以使微波进入处理腔室,其中,所述至少两个同轴波导与在一个方向上拉长的磁路(21-22)相结合,通过产生磁场包围所述至少两个同轴波导(4)的所述磁路能够达到接近所述至少两个同轴波导的ECR条件,其中,所述磁路具有接近所述至少两个同轴波导的相反极性(31-32)的两个磁极,以形成用于电子的磁阱,并且所述两个磁极中的第一磁极形成围绕所述至少两个同轴波导(4)的第一线,而所述两个磁极中的第二磁极形成围绕所述第一线的第二线。
2.如权利要求1所述的设备,其中,每个同轴波导的所述中心导体(1)设置有能够保护所述同轴波导的开口并表现为天线的配件。
3.如权利要求2所述的设备,其中所述中心导体(1)具有直径比所述同轴波导(4)的所述开口更大的同心盘(5)以保护所述同轴波导的内侧,所述同心盘(5)被定位成接近ECR区域,且顶部有与所述中心导体(1)同轴对齐布置的杆(6)。
4.如权利要求2所述的设备,其中所述中心导体的端部在沿着所述磁路的最长轴线拉长的板(7)中,至少所述板的端部之一设置有配件(8)以放置成与源的表面接触,以便产生短路,所述板(7)的宽度大于所述同轴波导(4)的所述开口。
5.如权利要求4所述的设备,其中,所述板(7)的宽度沿所述板的整个长度恒定。
6.如权利要求4所述的设备,其中,所述板(7)的宽度随着距离所述中心导体(1)的距离的增加而减小,且关于所述中心导体(1)的至少一个侧面减小。
7.如权利要求1所述的设备,其中,所述处理腔室包括带冷却回路(11)的主体(10),所述主体(10)包括用于所述磁路的装配的壳体,所述磁路包括根据第一极化的磁体的第一线和根据相反极化且围绕所述第一线的磁体的第二线,所述磁路围绕装配在横跨所述主体(10)的厚度形成的孔中的所述至少两个同轴波导(4),磁体的所述第一线和所述第二线通过铁磁板(23)连接,所述主体和所述磁路通过屏蔽物(12)与所述等离子体隔开。
8.如权利要求7所述的设备,其中,所述中心导体(1)包括相对于以良好的电接触插入到所述主体(10)内的所述外部导体居中的圆柱形的杆,介电窗(3)被置于所述同轴波导内部且在所述同轴波导的开口下方,所述开口被顶部有用作天线的杆的盘所覆盖。
9.如权利要求7所述的设备,其中,所述中心导体包括相对于通过形成良好的电接触的方式插入到所述主体(10)内的所述外部导体居中的圆柱形的杆,介电窗(3)被置于所述同轴波导内部且在所述同轴波导的开口下方,所述开口被沿着喷射器的轴线的拉长的板(7)所覆盖,所述拉长相对于用于位于所述磁路的圆形端部处的波导的所述中心导体是非对称的,所述拉长仅在相对端部的方向上,且所述拉长相对于用于位于所述磁路的线性部分中的波导的所述中心导体对称,每个拉长部分设置有用作短路的配件(8)。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于H.E.F.公司,未经H.E.F.公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201380046725.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。