[发明专利]电荷传输半导体材料和半导体器件

权利要求书

1.一种电荷传输半导体材料，其包含：

a)任选地至少一种电掺杂剂，和

b)交联的电荷传输聚合物，其包含通式Ia和/或Ib的1,2,3-三唑交联单元，

其中

aa)Pol¹-Pol⁴是独立选择的由于沿着聚合物的重叠轨道体系而能够传输注入的电荷的电荷传输聚合物，

bb)X¹、X²、X³和X⁴是独立选择的间隔基单元或表示所述Pol基团与所述1,2,3-三唑环的直接键合，

cc)R和R'独立地选自H，卤素，腈，C₁-C₂₂饱和或不饱和的烷基，C₃-C₂₂环烷基，C₆-C₁₈芳基，C₇-C₂₂芳基烷基，

具有至多三个独立地选自氧、氮和硫的杂原子的C₂-C₁₃杂芳基，

SiR¹R²R³，其中R¹、R²和R³独立地选自C₁-C₄烷基或苯基，

COR⁴或COOR⁵，其中R⁴和R⁵独立地选自C₁-C₂₂烷基或C₇-C₂₂芳基烷基，

CR⁶R⁷OR⁸，其中R⁶和R⁷独立地选自H、C₁-C₆烷基、C₆-C₉芳基，或者R⁶和R⁷一起形成C₃-C₇环，并且R⁸是C₁-C₆烷基、C₇-C₂₂芳基烷基，SiR⁹R¹⁰R¹¹，其中R⁹、R¹⁰和R¹¹独立地选自C₁-C₄烷基或苯基，或COR¹²，其中R¹²是H或C₁-C₂₁烷基，

其中R和R'可选自的基团可任选地被烷基、环烷基、芳基、杂芳基或芳基烷基取代，其中在cc)下所述的C原子数目包括取代基的C原子的数目，并且在R和R'选自烷基、环烷基、芳基、杂芳基或芳基烷基的情况下，所述基团可任选地部分或完全被卤素原子取代，

所述电荷传输半导体材料可通过如下

方法获得，所述方法包括：

i)提供溶液，其含有

aaa)第一前体电荷传输聚合物，其包含至少一个共价连接的叠氮基团和任选地至少一个炔基；和/或第二前体电荷传输聚合物，其包含至少一个共价连接的炔基和任选地至少一个叠氮基团；和任选地至少一种交联剂，其包含至少两个选自叠氮和/或炔基的官能团，

bbb)任选地至少一种电掺杂剂，

ccc)至少一种溶剂，

ii)将所述溶液沉积在基底上，

iii)除去所述溶剂，和

iv)使所述叠氮与炔基反应以实现交联，

其中在所述第一前体电荷传输聚合物、所述第二前体电荷传输聚合物和所述交联剂中的每种中，每分子的叠氮和/或炔基的平均数大于2。