[发明专利]气相生长装置的污染量测定方法及外延晶片的制造方法有效
| 申请号： | 201380046910.7 | 申请日： | 2013-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN104620355B | 公开（公告）日： | 2017-03-15 |
| 发明（设计）人： | 荒井刚;稻田聪史 | 申请（专利权）人： | 信越半导体株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;C23C16/44;H01L21/31;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京德崇智捷知识产权代理有限公司11467 | 代理人： | 王金双 |
| 地址： | 日本东京*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 相生 装置 污染 测定 方法 外延 晶片 制造 | ||
1.一种气相成长装置的污染量的测定方法，其特征在于包含如下步骤：
气相蚀刻步骤，通过利用HCl气体的气相蚀刻而对气相成长装置的腔室内进行清洁；
热处理步骤，在经上述气相蚀刻后的上述腔室内在非氧化性气氛下对既定片数的晶片逐片地依次进行热处理；及
测定步骤，测定在上述热处理步骤中经热处理后各晶片表面上的金属杂质的浓度，作为上述气相成长装置的污染量；
以既定的次数重复实施上述气相蚀刻步骤及上述热处理步骤，在上述热处理步骤中使每次使用相同的晶片且每次进行热处理的晶片的顺序不变，当上述气相蚀刻步骤及上述热处理步骤已实施上述既定的次数之后实施上述测定步骤。
2.根据权利要求1所述的气相成长装置的污染量测定方法，其中，上述非氧化性气氛为氢气气氛。
3.根据权利要求1或2所述的气相成长装置的污染量测定方法，其中，上述既定的片数为3片以上。
4.根据权利要求1至3中任一权利要求所述的气相成长装置的污染量测定方法，其中，上述既定的次数为4次以上。
5.根据权利要求1至4中任一权利要求所述的气相成长装置的污染量测定方法，其中，上述热处理是于1000℃?1200℃下实施30秒以上。
6.根据权利要求1至5中任一权利要求所述的气相成长装置的污染量测定方法，其中，在上述测定步骤中，将晶片表面上的污染回收，利用ICP—MS测定上述污染中所含的金属杂质的浓度。
7.根据权利要求6所述的气相成长装置的污染量测定方法，其中，上述污染的回收范围为晶片表面的全部范围。
8.根据权利要求6所述的气相成长装置的污染量测定方法，其中，上述污染的回收范围为晶片表面的部分范围。
9.根据权利要求1至8中任一权利要求所述的气相成长装置的污染量测定方法，其中，上述测定步骤中是以测定Mo浓度作为上述金属杂质的浓度。
10.根据权利要求1至9中任一权利要求所述的气相成长装置的污染量测定方法，其中，使用硅晶片作为上述晶片。
11.一种磊晶晶片的制造方法，采用根据权利要求1至10中任一权利要求所述的气相成长装置的污染量测定方法，使用基于上述污染量测定方法的测定结果而使金属杂质的污染减少至一定水平以下的气相成长装置，在晶片上气相成长磊晶膜。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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