[发明专利]有机电场发光元件用材料、有机电场发光元件、显示装置、以及照明装置有效
| 申请号： | 201380047231.1 | 申请日： | 2013-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN104641483B | 公开（公告）日： | 2017-06-06 |
| 发明（设计）人： | 小野洋平;枝连一志;生田利昭;倪静萍;松下武司;畠山琢次;中村正治;桥本士雄磨 | 申请（专利权）人： | 捷恩智株式会社;国立大学法人京都大学 |
| 主分类号： | H01L51/50 | 分类号： | H01L51/50;C07F5/02;C07F7/22;C07F9/6584;C09K11/06;G09F9/30;H01L27/32 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司11205 | 代理人： | 马雯雯,臧建明 |
| 地址： | 日本东京千代*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 有机 电场 发光 元件 用材 显示装置 以及 照明 装置 | ||
1.一种有机电场发光元件的发光层用材料，含有下述通式(V-27)～通式(V-30)的任一个所表示的多环芳香族化合物或其盐，
上述各式中，
X为B、P、P＝O、或者P＝S，
R为氢、经氟取代或未经取代的C1-20烷基、C3-8环烷基、C2-20烯基、经单芳基或二芳基取代的C2-12烯基、经单杂芳基或二杂芳基取代的C2-12烯基、经氟取代或未经取代的C1-20烷氧基、C1-20烷基羰基、氰基、硝基、二芳基氨基、可经取代的芳基、可经取代的杂芳基、B(Ra)2或Si(Ra)3，此处，Ra分别独立地为可经取代的烷基、可经取代的芳基或可经取代的杂芳基，
于同一环上邻接的2个R也可键结而形成环己烷环、苯环或吡啶环，
上述各式中的邻接的2个苯环也可藉由经由单键、CH2、CHRa、C(Ra)2、NRa、Si(Ra)2、BRa、Se、S或O的键而键结，而于该些苯环之间形成环，此处，Ra如上述所定义，
n为0～4的整数，h为0～3的整数，而且
上述各式所表示的化合物或其盐中的至少一个氢可经氘取代。
2.一种有机电场发光元件的发光层用材料，含有下述通式(V-31)～通式(V-34)的任一个所表示的多环芳香族化合物或其盐，
上述各式中，
X为B、P、P＝O、或者P＝S，
R为氢、经氟取代或未经取代的C1-20烷基、C3-8环烷基、C2-20烯基、经单芳基或二芳基取代的C2-12烯基、经单杂芳基或二杂芳基取代的C2-12烯基、经氟取代或未经取代的C1-20烷氧基、C1-20烷基羰基、氰基、硝基、二芳基氨基、可经取代的芳基、可经取代的杂芳基、B(Ra)2或Si(Ra)3，此处，Ra分别独立地为可经取代的烷基、可经取代的芳基或可经取代的杂芳基，
于同一环上邻接的2个R也可键结而形成环己烷环、苯环或吡啶环，
上述各式中的邻接的2个苯环也可藉由经由单键、CH2、CHRa、C(Ra)2、NRa、Si(Ra)2、BRa、Se、S或O的键而键结，而于该些苯环之间形成环，此处，Ra如上述所定义，
n为0～4的整数，h为0～3的整数，而且
上述各式所表示的化合物或其盐中的至少一个氢可经氘取代。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于捷恩智株式会社;国立大学法人京都大学，未经捷恩智株式会社;国立大学法人京都大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201380047231.1/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：方形二次电池
- 下一篇：鳍宽依赖性降低的SOIFINFET
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
