[发明专利]反熔丝器件

权利要求书

1.一种栅极氧化物反熔丝器件，包括：

半导体基板；

在所述基板的表面上的栅极；

在所述栅极上的电介质层；

在所述电介质层的与所述栅极相对的表面上的堆叠触点，所述电介质层在所述堆叠触点和所述栅极之间；以及

在所述栅极上的栅极触点。

2.如权利要求1所述的栅极氧化物反熔丝器件，其特征在于，所述栅极包括高K金属栅极。

3.如权利要求2所述的栅极氧化物反熔丝器件，其特征在于，所述高K金属栅极设置在所述基板的浅沟槽隔离区上。

4.如权利要求1所述的栅极氧化物反熔丝器件，其特征在于，所述电介质层包括氮化硅。

5.如权利要求1所述的栅极氧化物反熔丝器件，其特征在于，进一步包括形成在所述堆叠触点上的通孔。

6.如权利要求1所述的栅极氧化物反熔丝器件，其特征在于，进一步包括形成在所述栅极触点上的通孔。

7.如权利要求1所述的栅极氧化物反熔丝器件，其特征在于，所述栅极氧化物反熔丝器件被集成到蜂窝电话、手持式个人通信系统(PCS)单元、机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、便携式数据单元和/或固定位置数据单元中。

8.一种栅极氧化物反熔丝器件，包括：

半导体基板；

在所述半导体基板的表面上的导电栅极；

在所述导电栅极上用于绝缘的装置；

在所述绝缘装置的与所述导电栅极相对的表面上用于导电的第一装置，所述绝缘装置在用于导电的所述第一装置和所述导电栅极之间；以及

在所述导电栅极上用于导电的第二装置。

9.如权利要求8所述的栅极氧化物反熔丝器件，其特征在于，进一步包括形成在用于导电的所述第二装置上用于互连各层的装置。

10.如权利要求8所述的栅极氧化物反熔丝器件，其特征在于，进一步包括形成在用于导电的所述第一装置上用于互连各层的装置。

11.如权利要求8所述的栅极氧化物反熔丝器件，其特征在于，所述栅极氧化物反熔丝器件被集成到蜂窝电话、手持式个人通信系统(PCS)单元、机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、便携式数据单元和/或固定位置数据单元中。

12.一种栅极氧化物反熔丝器件制造方法，包括：

在半导体基板的表面上形成导电栅极；

在所述导电栅极上直接沉积电介质层；

暴露所述导电栅极的一部分；

在所述电介质层的与所述导电栅极相对的表面上形成堆叠触点，所述电介质层在所述堆叠触点和所述导电栅极之间；以及

在所述导电栅极的被暴露部分上形成栅极触点。

13.如权利要求12所述的方法，其特征在于，形成导电栅极进一步包括在所述半导体基板的浅沟槽隔离区上形成导电栅极。

14.如权利要求12所述的方法，其特征在于，进一步包括在所述堆叠触点上形成通孔。

15.如权利要求12所述的方法，其特征在于，进一步包括在所述栅极触点上形成通孔。

16.如权利要求12所述的方法，其特征在于，进一步包括将所述栅极氧化物反熔丝器件集成到蜂窝电话、手持式个人通信系统(PCS)单元、机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、便携式数据单元和/或固定位置数据单元中。