[发明专利]处于邻近数据状态之间的谷值中的存储器单元状态

说明书

技术领域

本发明一般来说涉及半导体存储器及方法，且更特定来说涉及与处于邻近数据状态之间的谷值中的存储器单元状态有关的设备及方法。

背景技术

存储器装置通常经提供作为计算机或其它电子装置中的内部半导体集成电路。存在包含易失性及非易失性存储器的许多不同类型的存储器。易失性存储器可需要电力来维持其数据(例如，主机数据、错误信息等)且包含随机存取存储器(RAM)、动态随机存取存储器(DRAM)及同步动态随机存取存储器(SDRAM)以及其它存储器。非易失性存储器可通过在不供电时存留所存储数据而提供永久数据，且可包含NAND快闪存储器、NOR快闪存储器、只读存储器(ROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)、可擦除可编程ROM(EPROM)及电阻可变存储器，例如相变随机存取存储器(PCRAM)、电阻式随机存取存储器(RRAM)及磁阻式随机存取存储器(MRAM)以及其它存储器。

快闪存储器装置可包含例如包含于浮动栅极快闪装置及电荷捕获快闪(CTF)装置中的电荷存储结构，针对广泛范围的电子应用所述电荷存储结构可用作非易失性存储器。快闪存储器装置可使用允许高存储器密度、高可靠性及低功率消耗的单晶体管存储器单元。

可将阵列架构中的存储器单元编程为目标状态。举例来说，可将电荷置于存储器单元的浮动栅极上或从浮动栅极移除以将所述单元置于若干个数据状态中的一者中。举例来说，单电平单元(SLC)可编程为表示两个数据单位中的一者的两个数据状态中的一者(例如，1或0)。多电平存储器单元(MLC)可编程为两个以上的数据状态中的一者。举例来说，能够存储两个数据单位的MLC可编程为四个数据状态中的一者，能够存储三个数据单位的MLC可编程为八个数据状态中的一者，且能够存储四个数据单位的MLC可编程为十六个数据状态中的一者。MLC可允许在不增加存储器单元的数目的情况下制造较高密度的存储器，这是因为每一单元可表示一个以上的数据单位(例如，一个以上位)。然而，MLC可呈现关于感测操作的困难，这是因为在邻近数据状态之间进行区分的能力可随着时间及/或操作劣化。

附图说明

图1图解说明根据本发明的若干个实施例的非易失性存储器阵列的一部分的示意图。

图2图解说明根据本发明的若干个实施例的与相应数据状态相关联的邻近状态分布及邻近状态分布之间的谷值的图式。

图3图解说明根据本发明的若干个实施例而操作的存储器设备的框图。

图4图解说明根据本发明的若干个实施例的使经熵编码数据单位与数据状态相关的压缩表。

图5图解说明根据本发明的若干个实施例的对应于各种数据状态的各种经熵编码数据单位的发射及存储于各种存储器单元上的状态是否处于谷值中及/或处于状态分布的外部分内的表格表示。

图6是图解说明根据本发明的若干个实施例的根据包含至少一种方法的各种方法的码字错误率(CWER)对比原始位错误率(RBER)的曲线图。

具体实施方式

存储器装置可包含错误校正电路(例如，实施错误校正代码(ECC))以在感测存储器单元的数据状态中针对错误进行校正。某种错误校正电路可借助软数据较有效地操作。硬数据为仅对应于存储器单元的数据状态的数据。举例来说，2位存储器单元可编程为四个数据状态中的一者，其中每一数据状态对应于硬数据00、01、10或11中的一者。相比来说，与存储器单元相关联的软数据可指示表示存储器单元被编程为的目标状态的状态(例如，阈值电压(Vt))在状态分布(例如，Vt分布)内的位置。另外，与存储器单元相关联的软数据可指示存储器单元的状态是否对应于存储器单元被编程为的目标状态的概率。然而，连同硬数据一起传送软数据可降低带宽。

本发明包含与处于邻近数据状态之间的谷值中的存储器单元状态有关的设备及方法。若干种方法可包含确定存储器单元的状态是否处于与相应数据状态相关联的邻近状态分布之间的谷值中。所述方法可包含发射指示存储器单元的数据状态及存储器单元的状态是否处于谷值中的信号。

尽管本文中主要论述的实例集中于使用电荷存储状态作为数据状态且使用存储于存储器单元上的电荷作为存储器单元的存储状态，但本发明还可藉助使用存储器单元的其它物理性质来表示数据状态的实施例而使用。举例来说，其它数据状态可包含但不限于电阻状态、光学电阻状态等。