[发明专利]处理液供给装置及方法、处理液及基板处理装置及方法有效
申请号: | 201380047457.1 | 申请日: | 2013-09-26 |
公开(公告)号: | CN104662644B | 公开(公告)日: | 2018-11-27 |
发明(设计)人: | 宫城雅宏;荒木浩之;铃木政典;佐藤朋且;川濑信雄 | 申请(专利权)人: | 斯克林集团公司 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304;B08B3/02;G21K5/00;G21K5/02;G21K5/10;H05F1/00;H05F3/06;B01J4/00;B05C11/08;B05C11/10 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 金相允;向勇 |
地址: | 日本国京*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 供给 装置 方法 | ||
1.一种处理液供给装置,用于从喷出口喷出处理液,来将该处理液供给至处理对象物,其特征在于,包括:
第一管,能够使处理液在内部流动,该第一管的内部与所述喷出口相连通;
X射线照射单元,用于向在所述第一管内存在的处理液照射X射线;
在所述第一管的管壁上具有开口,
所述开口被窗构件堵塞,所述窗构件由能够使X射线透过的材料形成,
所述X射线照射单元,经由所述窗构件向在所述第一管内存在的处理液照射X射线。
2.如权利要求1所述的处理液供给装置,其特征在于,所述窗构件由铍或聚酰亚胺树脂形成。
3.如权利要求1所述的处理液供给装置,其特征在于,在所述窗构件的存在处理液的一侧的壁面,形成有保护膜。
4.如权利要求3所述的处理液供给装置,其特征在于,所述保护膜是含有聚酰亚胺树脂、类金刚石碳、氟类树脂及烃类树脂中的一种以上材料的保护膜。
5.如权利要求1所述的处理液供给装置,其特征在于,所述X射线照射单元包括X射线发生器,所述X射线发生器用于发生X射线,并具有与所述窗构件相向配置的照射窗,从所述照射窗照射所发生的X射线。
6.如权利要求5所述的处理液供给装置,其特征在于,所述X射线照射单元还包括:
罩体,以与所述X射线发生器相隔开的方式包围该X射线发生器的周围;
气体供给单元,用于向所述罩体的内部供给气体。
7.如权利要求1所述的处理液供给装置,其特征在于,
所述第一管包括处理液管,在所述处理液管的内部,处理液向所述喷出口流动,
所述X射线照射单元向在所述第一管内流动的处理液照射所述X射线。
8.如权利要求1所述的处理液供给装置,其特征在于,
所述处理液供给装置还包括处理液管,在所述处理液管的内部,处理液向所述喷出口流动,
所述第一管包括从所述处理液管分支而成的分支管。
9.如权利要求1所述的处理液供给装置,其特征在于,还包括配置在所述喷出口的纤维状物质,从该喷出口喷出的处理液沿着该纤维状物质流动。
10.如权利要求1所述的处理液供给装置,其特征在于,还包括:
电极,配置在所述第一管上的比所述X射线的照射位置更靠处理液流动方向上的下游侧的位置;
电源,用于对所述电极施加电压。
11.如权利要求10所述的处理液供给装置,其特征在于,所述电极配置在所述第一管的前端部。
12.如权利要求1所述的处理液供给装置,其特征在于,还包括:
处理液检测单元,用于检测在所述第一管的所述X射线的照射位置是否存在处理液;
X射线照射控制单元,在所述照射位置存在处理液时,使所述X射线照射单元照射X射线,在所述照射位置不存在处理液时,使所述X射线照射单元不照射X射线。
13.一种基板处理装置,其特征在于,
包括:
基板保持单元,用于保持基板,
权利要求1~7、9~12中任一项所述的处理液供给装置;
从所述喷出口喷出的处理液供给至所述基板的主面。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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