[发明专利]掺杂铋的半绝缘第III族氮化物晶片和其制造方法

说明书

相关申请案的交叉参考

本申请案主张由桥本忠朗(Tadao Hashimoto)、艾德华·里特斯(Edward Letts)和锡拉·霍夫(Sierra Hoff)于2012年8月24日申请的标题为“掺杂铋的半绝缘第III族氮化物晶片和其制造方法(BISMUTH-DOPED SEMI-INSULATING GROUP III NITRIDE WAFER AND ITS PRODUCTION METHOD)”且代理案号为SIXPOI-013USPRV1的第61/693,122号美国临时专利申请案的优先权，所述申请案的全文以引用方式并入本文中，就如同在下文中完全阐述一般。

本申请案与以下美国专利申请案有关：

由藤户健司(Kenji Fujito)、桥本忠朗和中村修二(Shuji Nakamura)于2005年7月8日申请的标题为“使用高压釜在超临界氨中生长第III族氮化物晶体的方法(METHOD FOR GROWING GROUP III-NITRIDE CRYSTALS IN SUPERCRITICAL AMMONIA USING AN AUTOCLAVE)”且代理案号为30794.0129-WO-01(2005-339-1)的PCT实用新型专利申请案第US2005/024239号；

由桥本忠朗、齐藤真(Makoto Saito)和中村修二于2007年4月6日申请的标题为“在超临界氨中生长大表面积氮化镓晶体的方法和大表面积氮化镓晶体(METHOD FOR GROWING LARGE SURFACE AREA GALLIUM NITRIDE CRYSTALS IN SUPERCRITICAL AMMONIA AND LARGE SURFACE AREA GALLIUM NITRIDE CRYSTALS)”且代理案号为30794.179-US-U1(2006-204)的美国实用新型专利申请案第11/784,339号，所述申请案根据35U.S.C.第119条第(e)项主张由桥本忠朗、齐藤真和中村修二于2006年4月7日申请的标题为“在超临界氨中生长大表面积氮化镓晶体的方法和大表面积氮化镓晶体(METHOD FOR GROWING LARGE SURFACE AREA GALLIUM NITRIDE CRYSTALS IN SUPERCRITICAL AMMONIA AND LARGE SURFACE AREA GALLIUM NITRIDE CRYSTALS)”且代理案号为30794.179-US-P1(2006-204)的第60/790,310号美国临时专利申请案的权益；

由桥本忠朗和中村修二于2007年9月19日申请的标题为“氮化镓块晶和其生长方法(GALLIUM NITRIDE BULK CRYSTALS AND THEIR GROWTH METHOD)”且代理案号为30794.244-US-P1(2007-809-1)的美国实用新型专利申请案第60/973,662号；

由桥本忠朗于2007年10月25日申请的标题为“在超临界氨与氮的混合物中生长第III族氮化物晶体的方法，和通过所述方法生长的第III族氮化物晶体(METHOD FOR GROWING GROUP III-NITRIDE CRYSTALS IN A MIXTURE OF SUPERCRITICAL AMMONIA AND NITROGEN，AND GROUP III-NITRIDE CRYSTALS GROWN THEREBY)”且代理案号为30794.253-US-U1(2007-774-2)的美国实用新型专利申请案第11/977,661号；

由桥本忠朗、艾德华·里特斯和碇真宪(Masanori Ikari)于2008年2月25日申请的标题为“制造第III族氮化物晶片的方法和第III族氮化物晶片(METHOD FOR PRODUCING GROUP III-NITRIDE WAFERS AND GROUP III-NITRIDE WAFERS)”且代理案号为62158-30002.00的美国实用新型专利申请案第61/067,117号；