[发明专利]集成电路之间具有不对称电压摆动的接口有效
申请号: | 201380048274.1 | 申请日: | 2013-07-25 |
公开(公告)号: | CN104641359B | 公开(公告)日: | 2018-09-21 |
发明(设计)人: | S·冈德;R·伊萨克 | 申请(专利权)人: | 美国莱迪思半导体公司 |
主分类号: | G06F13/14 | 分类号: | G06F13/14;G06F13/38;G11C11/4093 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 高见 |
地址: | 美国俄*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 集成电路 之间 具有 不对称 电压 摆动 接口 | ||
1.一种用于集成电路之间以不对称电压摆动进行接口的装置,包括:
包括第一发射机和第一接收机的第一集成电路;
包括第二发射机和第二接收机的第二集成电路;以及
包括通信信道的接口,所述通信信道将所述第一发射机与所述第二接收机链接并将所述第一接收机与所述第二发射机链接,其中所述通信信道是单信道或双信道中的一者;
其中所述第一发射机操作用于发送第一信号而所述第二发射机操作用于发送第二信号,所述第一信号的第一平均电压摆动与所述第二信号的第二平均电压摆动不对称,
并且其中所述不对称是通过借助参数α>1.0来增大所述第一平均电压摆动和第二平均电压摆动中的一者来实现的。
2.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述第一发射机是单端发射机或差分发射机中的一者。
3.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述第一发射机输出或者以低供电为基准,其中信号基准是接地,或者以高供电为基准,其中信号基准是供电电压,或者是以低供电和高供电两者的组合为基准。
4.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述第一发射机的输出包括不归零(NRZ)编码。
5.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述第一发射机的输出之一基本等于被提供给所述发射机的一个或多个供电电压中的供电电压。
6.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述第一集成电路包括存储器控制器并且其中所述第二集成电路包括存储器。
7.如权利要求6所述的装置,其特征在于,所述存储器是动态随机存取存储器(DRAM)。
8.如权利要求6所述的装置,其特征在于,所述存储器控制器是芯片上系统(SoC)。
9.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述第一集成电路的第一接收机具有比所述第二集成电路的第二接收机更高的信号灵敏度。
10.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述第一集成电路的供电电压小于所述第二集成电路的供电电压。
11.一种用于集成电路之间以不对称电压摆动进行接口的方法,包括:
对从第一集成电路至第二集成电路的传输建立第一电压摆动,所述第一集成电路包括第一发射机和第一接收机,所述第二集成电路包括第二发射机和第二接收机;
为从所述第二集成电路至所述第一集成电路的传输建立第二电压摆动;
使用所述第一电压摆动将第一信号从所述第一发射机发送至所述第二接收机;以及
使用所述第二电压摆动将第二信号从所述第二发射机发送至所述第一接收机;
其中所述第一电压摆动和所述第二电压摆动是不对称的,并且其中所述不对称是通过借助参数α>1.0来增大所述第一电压摆动和第二电压摆动中的一者来实现的。
12.如权利要求11所述的方法,其特征在于,所述第一集成电路包括存储器控制器并且其中所述第二集成电路包括存储器。
13.如权利要求11所述的方法,其特征在于:
建立所述第一电压摆动包括建立在通过所述第一发射机和所述第二接收机之间的通信信道衰减之后足以满足所述第二集成电路的规范的信号摆动;以及
建立所述第二电压摆动包括建立在通过所述第二发射机和所述第一接收机之间的通信信道衰减之后足以满足所述第一集成电路的规范的信号摆动。
14.如权利要求13所述的方法,其特征在于,所述第一发射机和所述第二接收机之间的通信信道是双通信信道的第一信道,而所述第二发射机和所述第一接收机之间的通信信道是所述双通信信道的第二信道。
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