[发明专利]自由基成分的氧化物蚀刻

权利要求书

1.一种在基板处理腔室的基板处理区域中蚀刻图案化基板的方法，其中所述图案化基板具有暴露的氧化硅区域，所述方法包含：

使含氟前体流进远端等离子体区域，同时在所述远端等离子体区域中形成远端等离子体以产生等离子体流出物，所述远端等离子体区域流通式耦接至所述基板处理区域；

使含氮和氢前体流进所述基板处理区域中，而不先使所述含氮和氢前体通过所述远端等离子体区域；以及

在所述基板处理区域中，以这些等离子体流出物及所述含氮和氢前体的组合蚀刻所述暴露的氧化硅区域。

2.如权利要求1所述的方法，进一步包含：在所述远端等离子体的形成期间，使含氧前体流进所述远端等离子体区域。

3.如权利要求1所述的方法，进一步包含：在所述远端等离子体的形成期间，使分子氧、二氧化氮或一氧化二氮的一者流进所述远端等离子体区域。

4.如权利要求1所述的方法，其中所述含氮和氢前体是由氮和氢组成。

5.如权利要求1所述的方法，其中所述含氮和氢前体包含氨。

6.如权利要求1所述的方法，其中所述图案化基板进一步包含暴露的多晶硅区域，且所述蚀刻操作的、暴露的氧化硅区域相较于暴露的多晶硅区域的选择性大于50：1或为50:1。

7.如权利要求1所述的方法，其中所述图案化基板进一步包含暴露的多晶硅区域，且所述蚀刻操作的、暴露的氧化硅区域相较于暴露的多晶硅区域的选择性大于100：1或为100:1。

8.如权利要求1所述的方法，其中所述图案化基板进一步包含暴露的氮化硅区域，且所述蚀刻操作的、暴露的氧化硅区域相较于暴露的氮化硅区域的选择性大于30：1或为30:1。

9.如权利要求1所述的方法，其中所述图案化基板进一步包含暴露的氮化硅区域，且所述蚀刻操作的、暴露的氧化硅区域相较于暴露的氮化硅区域的选择性大于70：1或为70:1。

10.如权利要求1所述的方法，其中所述基板处理区域是无等离子体。

11.如权利要求1所述的方法，其中所述含氮和氢前体未被任何在所述基板处理区域的外侧形成的远端等离子体激发。

12.如权利要求1所述的方法，其中所述含氟前体包含从由氟原子、双原子氟、三氟化氮、四氟化碳、氟化氢及二氟化氙所组成的群组中选出的前体。

13.如权利要求1所述的方法，其中所述含氟前体及这些等离子体流出物不含氢。

14.如权利要求5所述的方法，其中所述含氟前体流过双区喷淋头中的多个通孔且所述氨通过所述双区喷淋头中的多个不同的区，其中这些不同的区通往所述基板处理区域，但不通往所述远端等离子体区域。

15.如权利要求1所述的方法，其中在所述蚀刻操作期间，所述图案化基板的温度大于10℃或为10℃且小于250℃或为250℃。

16.如权利要求1所述的方法，其中在所述蚀刻操作期间，所述图案化基板的温度大于100℃或为100℃且小于或140℃或为140℃。

17.如权利要求1所述的方法，其中在所述蚀刻操作期间，所述基板处理区域内的压力低于50托耳或为50托耳且高于或0.1托耳或为0.1托耳。

18.如权利要求1所述的方法，其中在所述远端等离子体区域中形成等离子体以产生等离子体流出物包含：施加射频功率至所述等离子体区域，所述射频功率介于10瓦与2000瓦之间。

19.如权利要求1所述的方法，其中在所述远端等离子体区域中的等离子体是电容式耦合的等离子体。