[发明专利]X射线辐射检测器和CT系统

权利要求书

1.一种使用在CT系统(C1)内的用于检测X射线辐射的直接转换式X射线辐射检测器(C3，C5)，其至少具有：

1.1用于检测X射线辐射的半导体(1)，和

1.2至少一个安装在所述半导体(1)上的电极(2)，其中所述半导体(1)和所述至少一个电极(2)导电连接，并且所述至少一个电极(2)形成为透明并导电，

其特征在于，

1.3安装在半导体(1)上的所述至少一个电极(2)至少具有以如下次序的如下层：至少一个接触层(3)，带有至少一个嵌入在附着剂(4a)内的填充元件(4b)的至少一个中间层(4)，至少一个TCO层(5)和至少一个载体保护层(6)。

2.根据前述权利要求1所述的直接转换式X射线辐射检测器(C3，C5)，其特征在于，所述接触层(3)形成为至少部分地透明的。

3.根据前述权利要求1所述的直接转换式X射线辐射检测器(C3，C5)，其特征在于，所述至少一个接触层(3)的厚度至多为250nm。

4.根据前述权利要求1所述的直接转换式X射线辐射检测器(C3，C5)，其特征在于，所述至少一个接触层(3)的厚度至多为200nm。

5.根据前述权利要求1所述的直接转换式X射线辐射检测器(C3，C5)，其特征在于，所述至少一个接触层(3)的厚度至多为150nm。

6.根据前述权利要求1所述的直接转换式X射线辐射检测器(C3，C5)，其特征在于，所述至少一个接触层(3)形成为多孔的，其中所述至少一个接触层(3)的孔对于电磁辐射是透明的。

7.根据前述权利要求1所述的直接转换式X射线辐射检测器(C3，C5)，其特征在于，所述至少一个接触层(3)形成为网状。

8.根据前述权利要求1所述的直接转换式X射线辐射检测器(C3，C5)，其特征在于，所述至少一个接触层(3)由如下列表的至少一个材料形成：铂、铟、钼、钨、钌、铑、金、银、铝。

9.根据前述权利要求1所述的直接转换式X射线辐射检测器(C3，C5)，其特征在于，所述附着剂(4a)形成为对于电磁辐射至少是半透明的。

10.根据前述权利要求1所述的直接转换式X射线辐射检测器(C3，C5)，其特征在于，所述附着剂(4a)形成为对于电磁辐射是透明的。

11.根据前述权利要求1所述的直接转换式X射线辐射检测器(C3，C5)，其特征在于，所述至少一个填充元件(4b)形成所述至少一个电极(2)的至少一个接触层(3)和另外的层(5)之间的导电连接。

12.根据前述权利要求1所述的直接转换式X射线辐射检测器(C3，C5)，其特征在于，所述至少一个填充元件(4b)由金属形成。

13.根据前述权利要求1所述的直接转换式X射线辐射检测器(C3，C5)，其特征在于，所述至少一个中间层(4)具有至多为用于产生附加的电荷载体的附加辐射的强度的75％的吸收度，其中，所述附加辐射是IR、UV或可见光辐射。

14.根据前述权利要求1所述的直接转换式X射线辐射检测器(C3，C5)，其特征在于，所述至少一个中间层(4)具有至多为用于产生附加的电荷载体的附加辐射的强度的60％的吸收度，其中，所述附加辐射是IR、UV或可见光辐射。

15.根据前述权利要求1所述的直接转换式X射线辐射检测器(C3，C5)，其特征在于，所述至少一个中间层(4)具有至多为用于产生附加的电荷载体的附加辐射的强度的50％的吸收度，其中，所述附加辐射是IR、UV或可见光辐射。

16.根据前述权利要求1所述的直接转换式X射线辐射检测器(C3，C5)，其特征在于，所述至少一个中间层(4)具有至多为用于产生附加的电荷载体的附加辐射的强度的40％的吸收度，其中，所述附加辐射是IR、UV或可见光辐射。

17.根据前述权利要求1所述的直接转换式X射线辐射检测器(C3，C5)，其特征在于，所述至少一个TCO层(5)由如下列表的至少一个材料形成：纯的或掺杂的氧化铟锡，纯的或掺杂的氧化铟，氧化锡，纯的或掺杂的氧化锌，氧化镉，或聚3,4-乙烯二氧噻吩，聚苯乙烯磺酸，碳纳米管，纯的或掺杂的聚苯胺的衍生物。