[发明专利]气体分配组合件有效
申请号: | 201380048676.1 | 申请日: | 2013-09-09 |
公开(公告)号: | CN104641457B | 公开(公告)日: | 2018-02-02 |
发明(设计)人: | 梁奇伟;X·陈;祝基恩;D·卢博米尔斯基;朴书南;J-G·杨;S·文卡特拉马;T·特兰;K·欣克利;S·加格 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/3065 | 分类号: | H01L21/3065 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人: | 徐伟 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 设备 中的 化学物质 控制 特征 | ||
1.一种气体分配组合件,包含:
环形主体,包含:
内环形壁、外环形壁、上表面及下表面,所述内环形壁位于内径,所述外环形壁位于外径;
第一上凹部,形成在所述上表面中;
第一下凹部,在所述内环形壁处形成在所述下表面中;
第二下凹部,在所述第一下凹部下方并从所述第一下凹部径向往外而形成在所述下表面中;
第一流体通道,界定于所述上表面中,所述第一流体通道从所述第一上凹部径向往内位于所述环形主体中;
第二流体通道,界定在所述上表面中,所述第二流体通道从所述第一流体通道径向往外位于所述环形主体中,其中多个通口被界定在所述环形主体的一部分中,所述环形主体的所述部分界定所述第一流体通道的外壁和所述第二流体通道的内壁;
上板材,在所述第一上凹部处与所述环形主体耦接,并覆盖所述第一流体通道,其中所述上板材界定多个第一孔;以及
下板材,在所述第一下凹部处与所述环形主体耦接,包含:
多个第二孔,界定于所述下板材中,其中所述第二孔与界定于所述上板材中的所述第一孔对齐;
多个第三孔,界定于所述下板材中并位于所述第二孔之间;
其中所述上板材和所述下板材彼此耦接,使得所述第一孔与所述第二孔对齐而形成通道,所述通道穿过所述上板材和所述下板材。
2.如权利要求1所述的气体分配组合件,其中所述上板材和所述下板材黏合在一起。
3.如权利要求1所述的气体分配组合件,其中所述第二流体通道位于所述第一上凹部的径向往外处,使得所述第二流体通道未被所述上板材覆盖。
4.如权利要求3所述的气体分配组合件,其中第二上凹部被所述环形主体界定于所述第二流体通道的顶部附近并在所述内壁和外壁两者中,且其中所述气体分配组合件进一步包含环形构件,所述环形构件位于所述第二上凹部内,以便覆盖所述第二流体通道。
5.如权利要求1所述的气体分配组合件,其中所述第一上凹部包含底部部分,所述底部部分与所述第一流体通道的所述外壁相交。
6.如权利要求1所述的气体分配组合件,进一步包含一对隔离通道,其中所述一对隔离通道中的一者被界定于所述环形主体的所述上表面中,并且所述一对隔离通道中的另一者被界定于所述环形主体的所述下表面中,且其中所述一对隔离通道彼此垂直对齐。
7.如权利要求1所述的气体分配组合件,其中所述第二流体通道位于所述第一上凹部的径向往内处,使得所述第二流体通道被所述上板材覆盖。
8.如权利要求7所述的气体分配组合件,其中所述上板材的一部分延伸进入所述第二流体通道而位于所述第一上凹部的底部下方。
9.如权利要求8所述的气体分配组合件,其中所述多个通口从所述第二流体通道往所述第一流体通道向上成一角度,使得所述通口在延伸进入所述第二流体通道的所述上板材的所述部分下方可流体连通。
10.如权利要求7所述的气体分配组合件,进一步包含一对隔离通道,其中所述一对隔离通道中的一者在从所述第一上凹部径向往内的位置处被界定于所述上板材中,并且所述一对隔离通道中的另一者被界定于所述环形主体的所述下表面中,且其中所述一对隔离通道彼此垂直对齐。
11.如权利要求1所述的气体分配组合件,进一步包含环形温度通道,所述环形温度通道界定于所述环形主体中并配置成接收冷却流体,并可操作所述冷却流体来保持所述环形主体的温度。
12.如权利要求1所述的气体分配组合件,进一步包含环形温度通道,所述环形温度通道界定于所述环形主体中并配置成接收加热元件,所述加热元件位于所述环形温度通道内,并可操作所述加热元件来保持所述环形主体的温度。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造