[发明专利]接合基板的方法

权利要求书

1.一种组件，包括：

第一基板；

第二基板；

粘结层，所述粘结层固定所述第一基板和所述第二基板；和

沟道，所述沟道具有由所述粘结层界定的至少一侧并且具有暴露于所述组件的外部的出口，由所述粘结层固定的所述基板形成用于半导体真空处理腔室的部件。

2.如权利要求1所述的组件，其中所述粘结层包括：

多个区段。

3.如权利要求2所述的组件，其中所述多个区段包括：

由不同的粘结材料制造的至少两个区段。

4.如权利要求2所述的组件，其中所述多个区段包括：

第一区段，所述第一区段由第一粘结材料组成，所述第一粘结材料具有不同于第二粘结材料的导热系数，所述第二粘结材料包括第二区段。

5.如权利要求2所述的组件，其中所述多个区段包括：

第一区段，所述第一区段由第一粘结材料组成，所述第一粘结材料具有不同于第二粘结材料的强度，所述第二粘结材料包括第二区段。

6.如权利要求1所述的组件，其中所述粘结层具有大于0.3W/mK的导热率。

7.如权利要求1所述的组件，其中所述第一基板为静电圆盘或气体分配板。

8.一种制造组件的方法，所述方法包括以下步骤：

将粘结层施加至第一基板上；

将第二基板放置至所述粘结层上，从而将两个所述基板固定在一起，所述粘结层界定沟道的至少一侧，所述沟道在所述基板之间横向延伸至所述组件的外部；和

使所述基板和所述粘结层经受接合工序，并且允许挥发物从所述粘结层释气以通过所述沟道从所述基板之间逸出，其中由所述粘结层接合的所述基板形成用于半导体真空处理腔室的部件。

9.一种整修具有通过粘结层结合在一起的第一基板和第二基板的组件的方法，其中所述粘结层的至少一侧界定沟道，所述沟道在所述基板之间横向延伸至所述组件的外部，所述方法包括以下步骤：

将接合削弱剂通过所述沟道引入至所述粘结层的内部区域；

分离所述基板；

整修所述第一基板；和

使用经整修的所述第一基板形成整修组件。

10.如权利要求9所述的方法，其中形成所述整修组件进一步包括：使所述经整修的第一基板结合至经整修的第二基板或新的第二基板中的一个。

11.如权利要求9所述的方法，其中形成所述整修组件进一步包括：允许使所述经整修的第一基板结合至经整修的第二基板或新的第二基板中的一个的新粘结层通过沟道通气，所述沟道具有由所述粘结层界定的一侧并且在所述基板之间延伸至所述整修组件的外部。

12.一种静电夹盘组件，包括：

静电圆盘；

温度控制基底；

粘结层，所述粘结层固定所述静电圆盘和所述温度控制基底；和

沟道，所述沟道具有由所述粘结层界定的至少一侧并且具有暴露于所述组件的外部的出口。

13.如权利要求12所述的组件，其中所述沟道被限定在形成所述粘结层的多个区段之间。

14.如权利要求12所述的组件，进一步包括限定所述粘结层的密封环。

15.如权利要求12所述的组件，其中所述粘结层具有大于0.3W/mK的导热率。