[发明专利]半导体装置的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种具有中空气密密封构造的半导体装置的制造方法。

背景技术

使用了GaAs、GaN等化合物半导体的场效应晶体管元件等高频半导体装置的通用化得到快速发展，迫切希望削减成本。为了应对该要求，代替目前为止的完全气密的金属封装，而采用了低价的模塑封装(mold package)。但是，在采用如模塑封装那样的非气密封装的情况下，为了防止以水分为起因的各种劣化，需要确保半导体装置的抗湿性。因此，希望制造具有只对必要部位进行密封的中空气密密封构造的半导体装置。

在以往的半导体装置中，在安装了半导体元件的陶瓷基板上通过玻璃接合绝缘盖体来密封半导体元件(例如，参照专利文献1)。此外，在该装置中玻璃的相对介电常数为15以下，绝缘盖体的相对介电常数为15以下，且陶瓷基板、玻璃以及盖体的相互的热膨胀差为1.2×10^-6/℃以下。

专利文献1：日本特许第3566508号公报(第3页35～46行、图1)

发明内容

以往是将半导体元件一个个地用绝缘盖体进行了密封。因此，虽然气密性高，但是存在生产率低、制造成本高这样的问题。

本发明是为了解决如上所述的课题而作出的，其目的在于获得一种能够确保气密性、且降低制造成本的半导体装置的制造方法。

本发明的半导体装置的制造方法，其特征在于，具备如下工序：在第1基板形成多个半导体元件；在第2基板形成多个密封窗和支撑所述多个密封窗的支撑部；经由配置在所述多个半导体元件的周边的低熔点玻璃材料使所述第2基板的所述多个密封窗接合到所述第1基板；以及从接合在所述第1基板的所述多个密封窗切断所述支撑部。

通过本发明，能够确保气密性、且降低制造成本。

附图说明

图1是表示本发明的实施方式1的半导体装置的截面图。

图2是用于说明本发明的实施方式1的半导体装置的制造方法的截面图。

图3是用于说明本发明的实施方式1的半导体装置的制造方法的截面图。

图4是用于说明本发明的实施方式1的半导体装置的制造方法的截面图。

图5是用于说明本发明的实施方式1的半导体装置的制造方法的俯视图。

图6是用于说明本发明的实施方式1的半导体装置的制造方法的截面图。

图7是用于说明本发明的实施方式1的半导体装置的制造方法的俯视图。

图8是用于说明本发明的实施方式1的半导体装置的制造方法的截面图。

图9是用于说明本发明的实施方式1的半导体装置的制造方法的截面图。

图10是表示本发明的实施方式1的半导体装置的变形例的放大截面图。

图11是用于说明本发明的实施方式2的半导体装置的制造方法的截面图。

图12是用于说明本发明的实施方式2的半导体装置的制造方法的放大俯视图。

图13是用于说明本发明的实施方式2的半导体装置的制造方法的截面图。

图14是用于说明本发明的实施方式2的半导体装置的制造方法的截面图。

附图标记说明

1：基板(第1基板)；2：半导体元件；7：低熔点玻璃材料；8：密封窗；9：第1Si层；10：SiO₂层；11：第2Si层；12：SOI基板(第2基板)；13：支撑部；14、17：加压部件；16：基板(第2基板)；20：开口。

具体实施方式

参照附图说明本发明的实施方式的半导体装置的制造方法。对于相同或者相对应的结构要素附加相同的标记，有时省略重复的说明。

实施方式1.

图1是表示本发明的实施方式1的半导体装置的截面图。在基板1上安装了半导体元件2。基板1是Si、GaAs、GaN、SiC等半导体基板、或者蓝宝石、陶瓷等绝缘基板。另外，半导体元件2是场效应晶体管，但是不限于此，也可以是双极晶体管元件等。

电极焊盘3被电连接到在半导体元件2。电极焊盘3是栅极焊盘、源极焊盘、以及漏极焊盘等。半导体元件2被通过等离子体CVD等形成的SiN膜等表面保护膜4所覆盖。背面焊盘5设置在基板1的背面，经由贯通基板1的贯通电极6分别电连接到电极焊盘3。这里，使用了背面焊盘5，但是不限于此，也可以使用馈通布线(feedthrough wiring)。