[发明专利]整流元件在审
| 申请号： | 201380048901.1 | 申请日： | 2013-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN104662669A | 公开（公告）日： | 2015-05-27 |
| 发明（设计）人： | 野崎真次;内田和男;黑川真吾;古川实;白土正 | 申请（专利权）人： | 国立大学法人电气通信大学;日本电业工作株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/868 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 楼高潮 |
| 地址： | 日本国东*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 整流 元件 | ||
1.一种整流元件，其特征在于，包括：
第1电极，其具有第1功函数；
第2电极，其具有比所述第1功函数大的第2功函数；以及
半导体层，其具有值在所述第1功函数与所述第2功函数之间的第3功函数，并且与所述第1电极和所述第2电极接触。
2.根据权利要求1所述的整流元件，其特征在于：
所述半导体层设定为在所述第1电极与所述第2电极之间不施加偏置电压的状态下会完全耗尽的厚度。
3.根据权利要求1或2所述的整流元件，其特征在于：
所述半导体层的载流子是空穴。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的整流元件，其特征在于：
所述半导体层由金属氧化物形成。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的整流元件，其特征在于：
所述金属氧化物为NiOx，其中，x=1～1.5。
6.根据权利要求1至4中任一项所述的整流元件，其特征在于：
所述金属氧化物为NiOx，其中，x=1～1.5，所述第1电极由Al形成，所述第2电极由Ni形成。
7.根据权利要求6所述的整流元件，其特征在于：
所述NiOx中的空穴浓度为10-2cm-3级别～1017cm-3级别。
8.根据权利要求1至4中任一项所述的整流元件，其特征在于：
所述金属氧化物为NiOx，其中，x=1～1.5，所述第1电极由Ni形成，所述第2电极由Pt形成。
9.根据权利要求8所述的整流元件，其特征在于：
所述NiOx中的空穴浓度为1017cm-3级别以上。
10.根据权利要求4至9中任一项所述的整流元件，其特征在于：
所述金属氧化物是通过对作为该金属氧化物的原料的金属照射紫外线进行氧化而生成的。
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