[发明专利]存储单元、存储装置和磁头

权利要求书

1.一种存储单元，包括：

层状结构，包括：

存储层，其中，磁化方向与信息对应地变化，

磁化固定层，具有与膜表面垂直并且用作所述存储层中存储的信息的基准的磁化，

中间层，设置在所述存储层与所述磁化固定层之间并且由非磁体制成，

第一碳膜，布置在所述存储层与所述中间层之间的界面处，以及

第二碳膜，被插入所述中间层的内部中，

其中，通过沿所述层状结构的层压方向馈入电流使所述存储层中的所述磁化方向改变，从而使信息记录在所述存储层中。

2.根据权利要求1所述的存储单元，进一步包括：

第三碳膜，被布置在所述磁化固定层与所述中间层之间的界面处。

3.根据权利要求1或2所述的存储单元，

其中，构成所述中间层的所述非磁体的材料是MgO。

4.根据权利要求3所述的存储单元，

其中，构成所述存储层的铁磁材料是Co-Fe-B合金。

5.根据权利要求1所述的存储单元，

其中，所述存储单元由磁性隧道结元件配置。

6.一种存储装置，包括：

存储单元，被配置为通过磁体的磁化状态来保持信息；以及

彼此相交的两种配线，

所述存储单元包括：

层状结构，包括：

存储层，其中，磁化方向与信息对应地变化，

磁化固定层，具有与膜表面垂直并且用作所述存储层中存储的信息的基准的磁化，

中间层，设置在所述存储层与所述磁化固定层之间并且由非磁体制成，

第一碳膜被布置在所述存储层与所述中间层之间的界面处，以及

第二碳膜被插入所述中间层的内部中，

其中，通过沿所述层状结构的层压方向馈入电流使所述存储层中的所述磁化方向改变，从而使信息记录在所述存储层中，

所述存储单元布置在所述两种配线之间，并且

通过所述两种配线使沿所述层压方向的电流流入所述存储单元。

7.一种磁头，包括存储单元，

所述存储单元包括：

层状结构，包括：

存储层，其中，磁化方向与信息对应地改变，

磁化固定层，具有与膜表面垂直并且用作所述存储层中存储的信息的基准的磁化，

中间层，设置在所述存储层与所述磁化固定层之间并且由非磁体制成，

第一碳膜，布置在所述存储层与所述中间层之间的界面处，以及

第二碳膜，被插入所述中间层的内部中。

8.一种存储单元，包括：

层状结构，包括：

存储层，其中，磁化方向与信息对应地改变，

磁化固定层，具有与膜表面垂直并且用作所述存储层中存储的信息的基准的磁化，

中间层，设置在所述存储层与所述磁化固定层之间并且由非磁体制成，

第一碳膜，布置在所述存储层与所述中间层之间的界面处，以及

第二碳膜，被插入所述中间层的内部中。

9.根据权利要求8所述的存储单元，进一步包括：

第三碳膜，被布置在所述磁化固定层与所述中间层之间的界面处。

10.根据权利要求8或9所述的存储单元，

其中，构成所述中间层的所述非磁体的材料是MgO。

11.一种存储装置，在两种配线之间设置有存储单元，

所述存储单元包括：

层状结构，包括：

存储层，其中，磁化方向与信息对应地改变，

磁化固定层，具有与膜表面垂直并且用作所述存储层中存储的信息的基准的磁化，

中间层，设置在所述存储层与所述磁化固定层之间并且由非磁体制成，

第一碳膜，布置在所述存储层与所述中间层之间的界面处，以及

第二碳膜，被插入所述中间层的内部中。