[发明专利]光电子半导体芯片和用于其制造的方法

权利要求书

1.一种光电子半导体芯片(1)，其具有半导体本体(2)和载体(5)，在所述载体上设置有所述半导体本体，其中

-所述半导体本体具有半导体层序列(200)，所述半导体层序列具有设为用于产生或接收辐射的有源区域(20)、第一半导体层(21)和第二半导体层(22)；

-所述有源区域设置在所述第一半导体层和所述第二半导体层之间；

-所述第一半导体层设置在所述有源区域的背离所述载体的一侧上；

-在所述半导体本体中构成有沟槽结构(25)，所述沟槽结构穿过所述第二半导体层和所述有源区域延伸进入到所述第一半导体层中；

-在所述载体和所述半导体本体之间构成具有多个接触接片(31)的电接触结构(3)；

-所述电接触结构具有接触区域(32)，所述接触区域沿横向方向设置在所述半导体本体旁边；

-所述接触接片在所述沟槽结构中伸展并且与所述第一半导体层导电连接；

-所述接触接片中的至少一个从所述接触区域开始伸展；

-接合层(4)邻接于所述第二半导体层，其中所述接合层连续地构成，并且所述电接触结构和所述接合层在所述半导体芯片的俯视图中彼此无重叠地设置。

2.根据权利要求1所述的半导体芯片，

其中所述接触接片的横向扩展随着距所述接触区域的间距增大而减小。

3.根据权利要求1所述的半导体芯片，

其中所述接触接片中的一个接触接片是主接片(31a)，其他的接触接片(36)从所述主接片分支。

4.根据权利要求3所述的半导体芯片，

其中所述主接片在所述半导体芯片的俯视图中沿着所述半导体芯片的对角线伸展。

5.根据权利要求3所述的半导体芯片，

其中所述其他的接触接片至少局部地倾斜于所述主接片伸展。

6.根据权利要求3所述的半导体芯片，

其中所述其他的接触接片具有子区域(310，311)，所述子区域相对于所述主接片以不同角度伸展。

7.根据权利要求1所述的半导体芯片，

其中

-所述第二半导体层直接邻接于所述电接触结构；并且

-在所述第二半导体层中构成区域(23)，该区域与其余的第二半导体层相比具有减小的电导率并且用于避免在所述接合层和所述电接触结构之间经由所述第二半导体层的电短路。

8.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体芯片，

其中所述半导体本体沿横向方向通过侧面(28)限界并且所述半导体本体邻接于所述侧面的边缘区域(280)是电去激活的。

9.一种用于制造多个光电子半导体芯片(1)的方法，具有下述步骤：

a)提供具有第一半导体层(21)、有源区域(20)和第二半导体层(22)的半导体层序列(200)；

b)构成沟槽结构(25)，所述沟槽结构穿过所述第二半导体层和所述有源区域延伸进入到所述第一半导体层中；

c)构成具有接触区域(32)和多个接触接片(31)的电接触结构(3)，所述接触接片在所述沟槽结构中伸展并且与所述第一半导体层导电连接，其中所述接触接片中的至少一个从所述接触区域开始伸展；

d)将所述半导体层序列固定在载体(5)上；和

e)将所述载体连同所述半导体层序列分割成多个半导体芯片，

其中所述半导体芯片分别具有带有所述半导体层序列的半导体本体(2)和沿横向方向设置在所述半导体本体旁边的所述接触区域，接合层(4)邻接于所述第二半导体层，其中所述接合层连续地构成，并且所述电接触结构和所述接合层在所述半导体芯片的俯视图中彼此无重叠地设置。

10.根据权利要求9所述的方法，

其中将所述半导体层序列在分割成多个半导体本体(2)之前结构化并且在所述半导体本体的邻接于所述半导体本体的侧面(28)的边缘区域(280)上至少局部地电去激活。

11.根据权利要求10所述的方法，

其中去激活借助于离子注入、借助于等离子处理或借助于溅镀法进行。