[发明专利]包括透明的耦合输出元件的光电子器件

权利要求书

1.一种光电子器件(1)，所述光电子器件包括：

-具有有源层的层序列(2)，所述有源层发射电磁初级辐射；

-至少一个透明的耦合输出元件(3，4，9)，所述耦合输出元件设置在所述电磁初级辐射的光路中，

其中所述至少一个透明的耦合输出元件(3，4，9)包括杂化材料，所述杂化材料具有下述结构：

其中

-R1、R1’、R2、R2’和R5能够相同地或不同地选择并且选自包括下述材料的组：H，饱和的烷基残基，完全地或部分地取代的、饱和的烷基残基，芳烃，完全地或部分地取代的芳烃，杂环化合物和完全地或部分地取代的杂环化合物，

-R3、R3’、R4和R4’能够相同地或不同地选择并且选自包括下述材料的组：H，饱和的烷基残基，完全地或部分地取代的、饱和的烷基残基，烷氧基，芳氧基，胺基，酰胺，酯，芳烃，完全地或部分地取代的芳烃，杂环化合物和完全地或部分地取代的杂环化合物，

-X选自包括O、S和N-R6的组，

-R6选自与R1、R1’、R2、R2’和R5相同的组，

-M和M’能够相同地或不同地选择并且选自包括B、Al、Si-R7、Ge-R7’和Ti-R7”的组，

-Y选自包括O、S、N-R5’和键合物的组，

-R5’能够选自与R1、R1’、R2、R2’和R5相同的组，并且R5’能够与R1、R1’、R2、R2’和R5相同地或不同地选择，

-R7、R7’和R7”能够相同地或不同地选择并且选自与R3、R3’、R4和R4’相同的组，并且

-n、m能够相同地或不同地选择并且1≤n，m≤10000，

-其中所述至少一个耦合输出元件(3，4，9)以安置在所述层序列(2)之上的方式构成为囊封件(4)、透镜(9)和/或薄板(3)。

2.根据权利要求1所述的光电子器件(1)，

其中所述至少一个耦合输出元件(3，4，9)包括杂化材料或由杂化材料制成，所述杂化材料包括下述结构：

3.根据权利要求1或2所述的器件(1)，

其中所述至少一个耦合输出元件(3，4，9)包括杂化材料或由杂化材料制成，所述杂化材料具有下述结构:

其中

-R31、R31’、R41和R41’能够相同地或不同地选择并且选自包括下述材料的组：H，饱和的和不饱和的烷基残基，完全地或部分地取代的、饱和的和不饱和的烷基残基，芳烃，完全地或部分地取代的芳烃，缩合的芳烃，完全地或部分地取代的、缩合的芳烃，杂环化合物，完全地或部分地取代的杂环化合物，缩合的杂环化合物和完全地或部分地取代的、缩合的杂环化合物，

-M’选自包括B、Al、Si-OR71、Ge-OR71’和Ti-OR71”的组，

-M选自包括B、Al、Si-OR72、Ge-OR72’和Ti-OR72”的组，以及

-R71、R71’和R71”能够相同地或不同地选择并且选自与R31、R31’、R41和R41’相同的组，并且

-R72、R72’和R72”能够相同地或不同地选择并且选自与R31、R31’、R41和R41’相同的组。

4.根据权利要求1或2所述的器件(1)，其中X＝O。

5.根据权利要求1或2所述的器件(1)，

其中所述至少一个耦合输出元件(3，4，9)包括杂化材料或由杂化材料制成，所述杂化材料包括下述结构：

其中R31、R31’、R41、R41’、R71和R72能够相同地或不同地选择并且选自包括下述材料的组：H，饱和的烷基残基，完全地或部分地取代的、饱和的烷基残基，芳烃，完全地或部分地取代的芳烃，杂环化合物和完全地或部分地取代的杂环化合物。

6.根据权利要求1或2所述的器件(1)，

其中R1、R1’、R2、R2’和R5或R1、R1’、R2、R2’、R5和R5’＝H。

7.根据权利要求1或2所述的器件(1)，

其中所述至少一个耦合输出元件(3，4，9)包括纳米颗粒。

8.根据权利要求7所述的器件(1)，

其中所述纳米颗粒包括能导热的材料。