[发明专利]镜装置的制造方法

说明书

技术领域

这里所公开的技术涉及一种镜装置的制造方法。

背景技术

到目前为止,利用执行部件让镜倾斜的镜装置已为众人所知晓。例如专利文献1中公开有这样的镜装置。该镜装置的执行部件是压电驱动式的,具有执行部件本体和叠层在该执行部件本体上的压电元件。

这样的镜装置是通过在例如SOI基板等基板上形成其它层或者蚀刻该基板而形成的。在例如专利文献1所公开的镜装置的制造方法中，先在SOI基板上形成绝缘膜(例如氧化膜)，然后再在该绝缘膜上形成构成压电元件的下部电极层、压电体层以及上部电极层。接着，通过形成规定形状的掩膜来进行蚀刻而让上部电极层和压电体层变成压电元件的形状。之后，用抗蚀剂掩膜覆盖包括压电元件的成为执行部件本体之部分和成为镜之部分，通过进行蚀刻除去成为执行部件本体之部分的外周部分和成为镜之部分的外周部分。这样来形成执行部件本体和镜。

专利文献1：日本公开特许公报特开2011-227216号公报

发明内容

－发明要解决的技术问题－

为形成抗蚀剂掩膜，要将抗蚀剂涂布在基板等上并进行曝光、显影。这里，因为在上述压电驱动式镜装置中，压电元件叠层在成为执行部件本体之部分上，所以成为执行部件本体之部分的抗蚀剂从基板算起的高度要比成为镜之部分从基板算起的高度高出一个压电元件那么多。如果像这样在抗蚀剂中存在从基板算起的高度较高的部分和较低的部分，则难以设定光刻条件。也就是说，如果不在抗蚀剂较厚的区域增大曝光能量或者加长曝光时间、显影时间，抗蚀剂就不会完全溶解，而会残留下无用的抗蚀剂。另一方面，如果在抗蚀剂较薄的区域光刻条件过强，抗蚀剂的溶解量就会超出需要。也就是说，如果抗蚀剂中存在从基板算起的高度较高的部分和较低的部分，则难以形成希望形状的抗蚀剂掩膜。特别是在抗蚀剂掩膜中形成狭缝一样的细缝隙的情况下该问题会更大。如果不能形成希望形状的抗蚀剂掩膜，则不能精度良好地形成成为执行部件本体之部分和成为镜之部分。

这里所公开的技术正是为解决上述问题而完成的。其目的在于：精度良好地形成基板中成为执行部件本体之部分和成为镜之部分这两部分。

－用以解决技术问题的技术方案－

这里所公开的技术是一种镜装置的制造方法，该镜装置包括镜和执行部件，该执行部件具有执行部件本体，对该镜进行驱动，在该执行部件本体的表面上叠层有压电元件。该制造方法包括准备工序、第一除去工序、第二除去工序以及第三除去工序。在该准备工序中准备基板，在该基板的表面上形成有绝缘膜，在成为上述执行部件本体之部分的该绝缘膜上叠层有上述压电元件；在该第一除去工序中，让上述基板中包括成为上述执行部件本体之部分的第一区域的上述绝缘膜残留下来，通过进行蚀刻将包括成为上述镜之部分的第二区域的绝缘膜除去；在该第二除去工序中，通过进行蚀刻将上述基板的上述第一区域中的至少成为执行部件本体之部分的外周部分的上述绝缘膜除去；在该第三除去工序中，形成覆盖上述基板中成为上述执行部件本体之部分和成为上述镜之部分的抗蚀剂掩膜，通过进行蚀刻除去上述基板中成为上述执行部件本体之部分的外周部分和成为上述镜之部分的外周部分。在上述第二除去工序中，让上述绝缘膜以比上述压电元件更向外侧探出来的状态残留在成为上述执行部件本体之部分的表面上；上述第三除去工序中的上述抗蚀剂掩膜具有第二狭缝和第一狭缝，该第二狭缝让上述基板中成为上述镜之部分的外周部分露出来，该第一狭缝让上述基板中成为上述执行部件本体之部分的外周部分和成为该执行部件本体之部分的上述绝缘膜露出来且该第一狭缝的宽度比该第二狭缝宽。

根据上述结构，成为执行部件本体之部分的抗蚀剂掩膜从基板算起的高度比成为镜之部分的抗蚀剂掩膜从基板算起的高度高出一个压电元件那么多。因此，抗蚀剂掩膜中让成为上述执行部件本体之部分的外周部分露出来的第一狭缝比让成为上述镜之部分的外周部分露出来的第二狭缝深。这样一来，如果光刻条件过弱，则不能形成贯通抗蚀剂掩膜的第一狭缝。另一方面，如果光刻条件过强，则不能精度良好地形成第二狭缝。二者难以两立。

相对于此，根据上述结构，使第一狭缝比第二狭缝宽度宽。这样一来，即使不让光刻条件太强，例如即使按照第二狭缝设定光刻条件，也能够形成贯通抗蚀剂掩膜的第一狭缝。而且，因为可以不让光刻条件较强，所以也能够精度良好地形成第二狭缝。