[发明专利]离子源及清洗离子源的方法

权利要求书

1.一种离子源，包括：

离子源腔室，其用以在处理模式过程中产生等离子体，所述离子源腔室的一个表面上具有萃取孔；

抑制电极，其内部具有抑制电极孔，所述抑制电极紧邻所述萃取孔而配置；

接地电极，其内部具有接地电极孔，所述接地电极紧邻所述抑制电极而配置；

萃取电源供应器，与所述离子源腔室相通，其经配置以便在所述处理模式过程中提供第一萃取电压和第一萃取电流，且在清洗模式过程中提供第二萃取电压和第二萃取电流；以及

抑制电源供应器，与所述抑制电极相通，其经配置以便在所述处理模式过程中提供第一抑制电压和第一抑制电流，且在所述清洗模式过程中提供第二抑制电压和第二抑制电流，

其中，所述第二萃取电压与所述第二抑制电压之间的差足以在所述萃取孔与所述抑制电极之间所界定的体积内产生等离子体。

2.根据权利要求1所述的离子源，包括：进料源，其含有清洗剂，且与所述离子源腔室相通；以及流量控制器，其用以调节所述清洗剂的流动，其中所述流量控制器经配置以形成足以在所述体积内产生所述等离子体的所述清洗剂的流量。

3.根据权利要求1所述的离子源，其中所述第二抑制电流与所述第二萃取电流的至少其一介于1amp与5amps之间。

4.根据权利要求1所述的离子源，还包括接地电极电源供应器，所述接地电极电源供应器与所述接地电极相通，经配置以便在所述处理模式过程中提供第一接地电极电压和第一接地电极电流，且在所述清洗模式过程中提供第二接地电极电压和第二接地电极电流。

5.根据权利要求4所述的离子源，其中所述接地电极在所述清洗模式和所述处理模式过程中接地。

6.根据权利要求1所述的离子源，其中所述抑制电源供应器包括处理抑制电源供应器、清洗抑制电源供应器以及开关，所述开关根据操作模式将所述处理抑制电源供应器与所述清洗抑制电源供应器之一耦接到所述抑制电极。

7.根据权利要求1所述的离子源，其中所述萃取电源供应器包括处理萃取电源供应器、清洗萃取电源供应器以及开关，所述开关根据操作模式将所述处理萃取电源供应器与所述清洗萃取电源供应器之一耦接到所述离子源腔室。

8.一种清洗离子源的方法，其中所述离子源包括具有萃取孔的离子源腔室、接地电极以及配置在所述离子源腔室与所述接地电极之间的抑制电极，所述清洗离子源的方法包括：

使清洗剂流入到所述离子源腔室内；

对所述离子源腔室、所述抑制电极以及所述接地电极施加各自的电压，使得所述抑制电极与所述离子源腔室之间以及所述抑制电极与所述接地电极之间的电压差足以使所述流动清洗剂在所述萃取孔与所述接地电极之间所界定的体积内产生等离子体；以及

其中所述等离子体的产生使得所述萃取孔、所述抑制电极以及所述接地电极得到清洗。

9.根据权利要求8所述的清洗离子源的方法，其中所述抑制电极被提供以电流介于1A与5A之间的400V至1000V电压，且所述离子源腔室和所述接地电极接地。

10.根据权利要求8所述的清洗离子源的方法，其中所述清洗剂是选自包含氧气、三氟化氮以及氩气与氟气的混合物的群组中。

11.根据权利要求8所述的清洗离子源的方法，其中施加磁场以将所述等离子体限制在所述萃取孔与所述接地电极之间所界定的所述体积内。