[发明专利]用于质谱仪在高压时的改进性能的射频(RF)离子引导器

权利要求书

1.一种质谱仪，其具有保持在第一压力的入口以及保持在比所述第一压力更小的第二压力的区域(211)，所述入口配置为接收离子引导器(102)，其中，所述离子引导器(102)包括：

基板(1001)，其包括其上部署的多个电极(1003)，所述基板(1001)在第一端(209)处形成第一开孔(806)并且在第二端(210)处形成第二开孔(807)，其中，所述第一开孔(806)配置为接收处于所述第一压力的离子(802)；

用于在相邻成对的所述多个电极(1003)之间施加射频电压的部件，其中，射频电压在所述基板(1001)限定的区域(211)中形成场；

用于沿着所述多个电极(1003)中的每一个的长度而施加直流(DC)电压降的部件；以及

多个沟道(1004)，其提供在所述基板(1001)中，其中，所述多个沟道(1004)之一提供在所述多个电极(1003)中的相应两个之间。

2.如权利要求1所述的质谱仪，其中，所述基板(1001)是第一基板(201)，所述多个电极(1003)是第一多个电极(1003)，所述离子引导器(102)还包括：第二基板(203)，其包括其上所部署的第二多个电极(1003)，所述第一基板(201)和所述第二基板(203)在所述第一端(209)形成所述第一开孔(806)的各侧，并且在所述第二端(210)形成所述第二开孔(807)的各侧。

3.如权利要求2所述的质谱仪，其中，所述第一开孔(806)具有第一面积，所述第二开孔(807)具有比所述第一面积更小的第二面积。

4.如权利要求2所述的质谱仪，其中，所述第一开孔(806)具有第一面积，所述第二开孔(807)具有与所述第一面积实质上相同的第二面积。

5.如权利要求1所述的质谱仪，其中，所述基板(1001)是平面的。

6.如权利要求2所述的质谱仪，其中，所述第一基板(201)实质上是平面的，所述第二基板(203)是实质上平面的。

7.如权利要求1所述的质谱仪，还包括：接口限制器，其部署在离子源(101)与离子引导器(102)之间，其中，所述离子源(101)处于比所述第一压力更大的第三压力。

8.如权利要求2所述的质谱仪，还包括：第三基板(206)，其部署在所述离子引导器(102)的侧壁(208)之上；第四基板(1001)，其部署在所述离子引导器(102)的另一侧壁(208)之上。

9.如权利要求8所述的质谱仪，其中，所述第三基板(206)和所述第四基板(1001)均包括所述第三基板和第四基板的相应整个表面之上所部署的导电材料。

10.如权利要求9所述的质谱仪，其中，所述第三基板(206)包括其上所部署的第三多个电极(1003)，所述第四基板(1001)包括其上所部署的第四多个电极(1003)。

11.如权利要求10所述的质谱仪，还包括：

用于在相邻配对的所述第三多个电极(1003)之间以及在相邻配对的所述第四多个电极(1003)之间施加射频电压的部件。

12.如权利要求1所述的质谱仪，其中，所述第一开孔(806)具有第一面积，所述第二开孔(807)具有第二面积，所述第一面积比所述第二面积更大。

13.如权利要求2所述的质谱仪，其中，所述第一多个电极(1003)实质上彼此平行，所述第二多个电极(1003)实质上彼此平行。

14.如权利要求7所述的质谱仪，其中，所述第三压力是大气压力。

15.如权利要求1所述的质谱仪，其中，所述多个沟道(1004)中的每一个具有宽度(1005)，所述沟道(1004)中的每一个具有深度(1006)，所述深度(1006)比所述宽度(1005)大一至三倍。