[发明专利]改质氢化聚硅氧氮烷、组合物及其制法、绝缘层及其制法有效
| 申请号： | 201380049625.0 | 申请日： | 2013-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN104684968B | 公开（公告）日： | 2017-06-13 |
| 发明（设计）人： | 宋炫知;朴银秀;林相学;郭泽秀;金古恩;金美英;金补宣;金奉焕;罗隆熙;裵镇希;徐珍雨;尹熙灿;李汉松;田钟大;韩权愚;洪承希;黄丙奎 | 申请（专利权）人： | 第一毛织株式会社 |
| 主分类号： | C08G77/38 | 分类号： | C08G77/38;C08G77/26;C08L83/08;H01B3/46 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司11205 | 代理人： | 陶敏,臧建明 |
| 地址： | 韩国庆尚*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氢化 聚硅氧氮烷 含有 用于 形成 氧化 为主 绝缘 组合 制备 方法 制造 | ||
1.一种改质氢化聚硅氧氮烷，其由以下方法制备：将氢化聚硅氧氮烷和硅烷化合物反应，其中所述硅烷化合物具有如下由化学式4所表示结构：
[化学式4]
其中，在上述化学式4，
R1和R2是各自独立地选自H、SiH3、NH2、Cl、Br和I，
R3和R4是各自独立地选自H、SiH3、NH2、Cl、Br和I，或彼此融合，以提供一个环，并且
a是1到30的整数，其中，所述改质氢化聚硅氧氮烷的氮原子和硅原子的原子数比小于或等于0.95。
2.根据权利要求1所述的改质氢化聚硅氧氮烷，其中所述改质氢化聚硅氧氮烷包括由以下化学式1至3表示的结构单元：
[化学式1]
[化学式2]
[化学式3]
其中，在上面的化学式1至3中，R1和R2各自独立地选自H、SiH3及NH2，R3为H或SiH3。
3.根据权利要求1所述的改质氢化聚硅氧氮烷，其中，所述改质氢化聚硅氧氮烷具有占所述改质氢化聚硅氧氮烷总量0.2至3重量％的氧含量。
4.根据权利要求1所述的改质氢化聚硅氧氮烷，其中所述改质氢化聚硅氧氮烷的重量平均分子量为1000～30000。
5.一种以氧化硅为主的绝缘层形成用组合物，含有藉由氢化聚硅氧氮烷和硅烷化合物反应所制备的改质氢化聚硅氧氮烷，其中所述硅烷化合物具有如下由化学式4所表示结构：
[化学式4]
其中，在上述化学式4，
R1和R2是各自独立地选自H、SiH3、NH2、Cl、Br和I，
R3和R4是各自独立地选自H、SiH3、NH2、Cl、Br和I，或彼此融合，以提供一个环，并且
a是1到30的整数，其中，所述改质氢化聚硅氧氮烷的氮原子和硅原子的原子数比小于或等于0.95。
6.根据权利要求5所述的以氧化硅为主的绝缘层形成用组合物，其中，所述改质氢化聚硅氧氮烷包括由以下化学式1至3所表示的结构单元：
[化学式1]
[化学式2]
[化学式3]
其中，在上面的化学式1至3中，R1和R2各自独立地选自H、SiH3及NH2，R 3为H或SiH3。
7.根据权利要求5所述的以氧化硅为主的绝缘层形成用组合物，其中，所述改质氢化聚硅氧氮烷具有占所述改质氢化聚硅氧氮烷总量0.2至3重量％的氧含量。
8.根据权利要求5所述的以氧化硅为主的绝缘层形成用组合物，其中，所述改质氢化聚硅氧氮烷的重量平均分子量为1000～30000。
9.根据权利要求5所述的以氧化硅为主的绝缘层形成用组合物，其中，基于所述以氧化硅为主的绝缘层形成用组合物的总量计，其包含所述改质氢化聚硅氧氮烷0.1至50重量％。
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