[发明专利]一体型分离膜结构体的缺陷检测方法、修补方法以及一体型分离膜结构体有效

专利信息
申请号: 201380050062.7 申请日: 2013-09-19
公开(公告)号: CN104661732B 公开(公告)日: 2018-07-03
发明(设计)人: 宫原诚;市川真纪子;谷岛健二;中村真二;长坂龙二郎 申请(专利权)人: 日本碍子株式会社
主分类号: B01D69/04 分类号: B01D69/04;B01D65/10;B01D69/10;B01D69/12;B01D71/02
代理公司: 上海市华诚律师事务所 31210 代理人: 李晓
地址: 日本国爱知县名*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 分离膜 结构体 一体型 修补 渗透量 高分子化合物 缺陷检测 堵住 气体渗透孔 气体加压 减压 检测孔 预成型 固化 简易
【权利要求书】:

1.一种一体型分离膜结构体,包含一体型基材和分离膜,一体型基材具有多个贯通孔单元,该贯通孔单元沿着长度方向的一侧端面至另一侧端面,由多孔质隔壁区划形成,分离膜成膜在所述贯通孔单元的内壁面,

具有缺陷的贯通孔单元的至少两端部被不流通流体的密封材料闭塞;

所述密封材料为环氧、硅系以及氟系中的任意一种合成树脂的高分子化合物;

所述两端部上没有被所述密封材料闭塞的所述贯通孔单元满足以下条件:

从所述贯通孔单元外对每个所述贯通孔单元用气体加压,测定所述气体渗透到所述贯通孔单元内的渗透量时,任意所述贯通孔单元的所述渗透量都在所有贯通孔单元的平均值+A的范围内,或者,对每个所述贯通孔单元减压,测定所述贯通孔单元的真空度时,任意所述贯通孔单元的所述真空度都在所有贯通孔单元的平均值+A的范围内;其中A为σ~6σ的规定值,σ为标准偏差。

2.根据利要求1所述的一体型分离膜结构体,其中,所述分离膜由无机材料形成。

3.根据权利要求2所述的一体型分离膜结构体,其中,所述无机材料为沸石、碳以及二氧化硅中的任意一个。

4.根据权利要求1所述的一体型分离膜结构体,其中,所述一体型基材为多孔质陶瓷。

5.根据权利要求1所述的一体型分离膜结构体,其中,使用耐压在1MPa以上。

6.一种一体型分离膜结构体的修补方法,将一体型分离膜结构体的有缺陷的贯通孔单元中的至少部分孔单元的至少两端部,用环氧、硅系以及氟系中的任意一种合成树脂的高分子化合物预成型的、不流通流体的密封材料插入并堵住,该一体型分离膜结构体在具有多个贯通孔单元的一体型基材的所述贯通孔单元的内壁面上成膜有分离膜,所述贯通孔单元沿着长度方向的一侧端面至另一侧端面,由多孔质隔壁区划形成。

7.一种一体型分离膜结构体的缺陷检测方法,该一体型分离膜结构体在具有多个孔单元的一体型基材的所述孔单元的内壁面上成膜有分离膜,所述孔单元沿着长度方向的一侧端面至另一侧端面,由多孔质隔壁区划形成,

从所述孔单元外对每个所述孔单元用气体加压,测定所述气体渗透到所述孔单元内的渗透量,所述渗透量多于所有孔单元的渗透量平均值+A的孔单元判断为有缺陷的孔单元,其中A为σ~6σ的规定值,σ为标准偏差。

8.一种一体型分离膜结构体的缺陷检测方法,该一体型分离膜结构体在具有多个孔单元的一体型基材的所述孔单元的内壁面上成膜有分离膜,所述孔单元沿着长度方向的一侧端面至另一侧端面,由多孔质隔壁区划形成,

对每个所述孔单元减压,测定所述孔单元的真空度,所述真空度的值比所有孔单元的真空度平均值+A低的孔单元判断为有缺陷的孔单元,其中,A为σ~6σ的规定值,σ为标准偏差。

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