[发明专利]PECVD设备与工艺

权利要求书

1.一种用于处理基板的设备，该设备包含：

腔室，该腔室包含侧壁和地板；

盖子，该盖子耦接至该腔室的该侧壁，该侧壁、该地板和该盖子定义该腔室的内部容积，该盖子包含：

气体分配器，该气体分配器具有数个贯穿的气流开口；及

量测装置，该量测装置引导光通过该等气流开口中的一个气流开口，并记录反射通过该气流开口的光；以及

基板支撑件，该基板支撑件设在该腔室的该内部容积内。

2.如权利要求1所述的设备，其中该量测装置包含具光纤光源的准直仪。

3.如权利要求2所述的设备，其中该盖子进一步包含第一平板，该第一平板耦接至该气体分配板，且该准直仪设置穿过该第一平板。

4.如权利要求3所述的设备，其中该第一平板包含开口，该准直仪经由该开口设置，且该开口提供让该准直仪侧向移动的间隙。

5.如权利要求4所述的设备，进一步包含座板，该座板位于该第一平板与该气体分配板之间，该座板包含凹部，该凹部对准该气流开口，其中该准直仪安置在该凹部。

6.如权利要求5所述的设备，进一步包含RF板条，该RF板条耦接至该准直仪。

7.如权利要求5所述的设备，进一步包含数个扣件，该等扣件耦接该准直仪与该第一平板，每一扣件包含弹性构件。

8.如权利要求3所述的设备，其中该盖子进一步包含电极，该电极位于该气体分配器与该侧壁之间，该电极耦接至第一调谐电路。

9.如权利要求8所述的设备，其中该盖子进一步包含加热器，用以加热该气体分配器。

10.如权利要求9所述的设备，其中该基板支撑件包含数个区域，每一区域具有加热器。

11.如权利要求10所述的设备，其中该基板支撑件进一步包含电极，该电极耦接至第二调谐电路。

12.一种用于处理基板的设备，该设备包含：

腔室，该腔室包含侧壁和地板；

盖子，该盖子耦接至该腔室的该侧壁，该侧壁、该地板和该盖子定义该腔室的内部容积，该盖子包含：

气体分配器，该气体分配器具有数个贯穿的气流开口；及

量测装置，该量测装置包含光纤，以引导光通过该等气流开口中的一个气流开口，及接收反射通过该气流开口的光；以及

基板支撑件，该基板支撑件设在该腔室的该内部容积内，该基板支撑件具有数个热区域。

13.如权利要求12所述的设备，其中该盖子进一步包含第一区板，该量测装置包含准直仪，以容纳该光纤，该准直仪设置穿过该第一区板的开口。

14.如权利要求13所述的设备，其中该盖子进一步包含座板，该座板位于该第一区板与该气体分配器之间，且该准直仪的延伸部安置在该座板。

15.如权利要求14所述的设备，其中该盖子进一步包含第二区板，该第二区板位于该座板与该气体分配器之间，该第二区板具有数个开口，其中该第二区板的各开口对准该气体分配器的气流开口。

16.如权利要求15所述的设备，其中该延伸部安置在该座板的凹部，该凹部具有斜墙。

17.如权利要求16所述的设备，其中该盖子进一步包含电极，该电极设在该气体分配器与该侧壁之间，该电极耦接至具第一可调整部件的第一调谐电路。

18.如权利要求17所述的设备，其中该基板支撑件的每一热区域包含加热器和热传感器。

19.如权利要求18所述的设备，其中该基板支撑件进一步包含电极，该电极耦接至具第二可调整部件的第二调谐电路。

20.一种在沉积层至基板上期间确定该层的厚度的方法，该方法包含：

自该基板反射广谱辐射光；

利用光谱仪分析所反射的光的光谱；

依据被沉积的层的折射率和消光系数，就所分析的光谱拟合菲涅尔模型；以及

通过最小化所分析的光谱与该模型的差的平方，来确定该层厚度。