[发明专利]光电子的半导体构件和用于制造光电子的半导体构件的方法

权利要求书

1.一种光电子的半导体构件(1)，具有：

-载体(2)，所述载体具有至少一个转换机构体(21)和囊封体(22)，在俯视图中观察，所述囊封体至少局部地围绕所述转换机构体(21)，

-电接触结构(3)，所述电接触结构至少间接地安置在所述载体(2)上，和

-多个光电子的半导体芯片(4)，所述光电子的半导体芯片安置在所述载体(2)的主侧上并且所述光电子的半导体芯片构建用于产生辐射，

其中

-所述转换机构体(21)形成为板，

-所述囊封体(22)由塑料或者硅酮或者树脂成形，

-所述半导体芯片(4)与所述转换机构体(21)直接机械连接，

-所述转换机构体(21)不具有用于所述电接触结构(3)的凹陷部并且不被所述电接触结构穿过，并且

-形成所述电接触结构(3)的一部分的并且构建用于对各个所述半导体芯片(4)通电的印制导线(33)位于所述载体(2)和所述半导体芯片(4)之间的平面中。

2.根据权利要求1所述的光电子的半导体构件(1)，

其中所述载体(2)是机械承载和支撑所述半导体构件(1)的部件，其中相邻的半导体芯片(4)之间的平均间距为至多200μm。

3.根据权利要求1或2所述的光电子的半导体构件(1)，

其中所述半导体芯片(4)的电接触部位朝向所述载体(2)。

4.根据权利要求1或2所述的光电子的半导体构件(1)，

其中在所述电接触结构(3)和所述转换机构体(21)之间至少局部地存在镜(6)。

5.根据权利要求1或2所述的光电子的半导体构件(1)，

其中所述半导体芯片(4)矩阵状地设置在至少一个场的内部，并且所述转换机构体(21)在整个所述场上延伸，

其中在俯视图中观察，所述囊封体(22)的场旁边的区域中与在所述转换机构体(21)处相比具有更大的厚度，

其中所述转换机构体(21)的厚度是恒定的。

6.根据权利要求5所述的光电子的半导体构件(1)，

其中所述囊封体(22)在所述场旁边的区域中由至少两个电通孔(35)穿过，

其中所述半导体构件(1)构建用于在所述载体(2)的背离所述半导体芯片(4)的辐射主侧(20)上被电连接。

7.根据权利要求1或2所述的光电子的半导体构件(1)，

其中在所述半导体芯片(4)的背离所述载体(2)的一侧上安置有热沉(5)。

8.根据权利要求7所述的光电子的半导体构件(1)，

其中所述热沉(5)形状配合地并且连续地在所有的半导体芯片(4)上延伸。

9.根据权利要求7所述的光电子的半导体构件(1)，

其中所述热沉(5)是分段的，其中所述热沉的区段与所述半导体芯片(4)中的一个或多个相关联。

10.根据权利要求1或2所述的光电子的半导体构件(1)，

所述半导体构件包括所述转换机构体(21)中的多个，

其中所述转换机构体(21)经由所述囊封体(22)机械持久地并且牢固地彼此连接。

11.根据权利要求1或2所述的光电子的半导体构件(1)，

其中所述转换机构体(21)是陶瓷。

12.一种用于制造根据权利要求1或2所述的光电子的半导体构件(1)的方法，所述方法具有下述步骤：

A)提供至少一个转换机构体(21)，

B)用囊封体(22)对所述转换机构体(21)改型，

C)将各个所述半导体芯片(4)安置在所述转换机构体(21)上，

D)通过填充物(7)对所述半导体芯片(4)改型，并且

E)借助于材料沉积在所述半导体芯片(4)和所述填充物(7)的背离所述载体(2)的一侧上成形热沉(5)，

其中所述方法步骤以所给出的顺序执行。