[发明专利]固体电解电容器的制造方法有效
申请号: | 201380050356.X | 申请日: | 2013-09-24 |
公开(公告)号: | CN104662624B | 公开(公告)日: | 2018-03-16 |
发明(设计)人: | 小菅启子;上田政弘 | 申请(专利权)人: | 松下知识产权经营株式会社 |
主分类号: | H01G9/028 | 分类号: | H01G9/028;H01G9/00 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人: | 韩聪 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 固体 电解电容器 制造 方法 以及 | ||
1.一种固体电解电容器的制造方法,其中,该固体电解电容器具备电容器元件,该电容器元件具有形成有电介质覆膜的阳极体、和被形成在所述阳极体上的固体电解质层,
所述固体电解电容器的制造方法包括:
在所述阳极体形成所述电介质覆膜的工序;
在形成了所述电介质覆膜的所述阳极体形成所述固体电解质层的工序;
使离子性化合物升温并使其熔解的工序;
使所述熔解的离子性化合物浸渗到形成了所述固体电解质层的所述阳极体的工序;
在浸渗所述离子性化合物之后将所述离子性化合物冷却并使其凝固的工序;和
在使所述离子性化合物凝固之后,在所述固体电解质层上形成与该固体电解质层不同的第2固体电解质层的工序,
形成所述第2固体电解质层的工序包括:使包含导电性高分子或导电性高分子的前体的液状组成物浸渗到所述阳极体的工序,
所述离子性化合物的熔点比使所述液状组成物浸渗到所述阳极体的工序中的该液状组成物的温度高。
2.根据权利要求1所述的固体电解电容器的制造方法,其中,
包括:在形成所述第2固体电解质层之后,使包含碳粉末或金属粉末的液体附着于所述固体电解质层的工序,
所述离子性化合物的熔点比所述液体的温度高。
3.根据权利要求1所述的固体电解电容器的制造方法,其中,
所述离子性化合物的熔点为30℃以上。
4.根据权利要求1所述的固体电解电容器的制造方法,其中,
包括:在形成所述第2固体电解质层之后,向所述电容器元件施加给定的电压的老化工序,
所述老化工序以所述离子性化合物的熔点以上的温度来进行。
5.根据权利要求4所述的固体电解电容器的制造方法,其中,
所述离子性化合物的熔点为100℃以下。
6.根据权利要求1所述的固体电解电容器的制造方法,其中,
所述离子性化合物包含羟基、羧基、磺酸基以及膦酸基当中的至少一个。
7.根据权利要求1所述的固体电解电容器的制造方法,其中,
所述离子性化合物包含具有季氮的阳离子来作为阳离子。
8.一种固体电解电容器的制造方法,其中,该固体电解电容器具备电容器元件,该电容器元件具有形成有电介质覆膜的阳极体、和被形成在所述阳极体上的固体电解质层,
所述固体电解电容器的制造方法包括:
在所述阳极体形成所述电介质覆膜的工序;和
使包含导电性高分子的前体单体和熔点为30℃以上的离子性化合物的聚合液浸渗到形成有所述电介质覆膜的阳极体,从而在形成有所述电介质覆膜的阳极体上形成包含所述离子性化合物和所述导电性高分子的所述固体电解质层的工序,
将所述聚合液升温到所述离子性化合物的熔解点以上的温度来进行所述聚合液向形成有所述电介质覆膜的阳极体的浸渗。
9.根据权利要求8所述的固体电解电容器的制造方法,其中,
在形成所述固体电解质层的工序中,通过化学聚合或电解聚合来形成所述固体电解质层。
10.根据权利要求8或9所述的固体电解电容器的制造方法,其中,
包括:在形成所述固体电解质层之后,使包含碳粉末或金属粉末的液体附着于所述固体电解质层的工序,
所述离子性化合物的熔点比所述液体的温度高。
11.根据权利要求8或9所述的固体电解电容器的制造方法,其中,
包括:在形成所述固体电解质层之后,向所述电容器元件施加给定的电压的老化工序,
所述老化工序以所述离子性化合物的熔点以上的温度来进行。
12.根据权利要求11所述的固体电解电容器的制造方法,其中,
所述离子性化合物的熔点为100℃以下。
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