[发明专利]高电子密度的导电性钙铝石化合物的制造方法有效
| 申请号： | 201380050772.X | 申请日： | 2013-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN104684867A | 公开（公告）日： | 2015-06-03 |
| 发明（设计）人： | 伊藤和弘;渡边晓;渡边俊成;宫川直通 | 申请（专利权）人： | 旭硝子株式会社 |
| 主分类号： | C04B35/44 | 分类号： | C04B35/44;C01F7/00;C01F7/16;C23C14/34 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 胡烨;金明花 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电子密度 导电性 石化 制造 方法 | ||
1.一种导电性钙铝石化合物的制造方法，其特征在于，包括
(a)准备被处理体的工序，所述被处理体含有钙铝石化合物或钙铝石化合物前体，和
(b)在含有铝化合物以及一氧化碳(CO)气体的还原性气氛中、在1080℃～1450℃的范围内对所述被处理体进行热处理的工序，所述铝化合物为在所述被处理体的热处理中放出氧化铝气体的化合物。
2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述铝化合物为碳化铝(Al4C3)。
3.如权利要求1或2所述的制造方法，其特征在于，所述被处理体选自含有钙铝石化合物粉末的成形体，含有钙铝石化合物的烧结体，以及含有预烧粉的成形体。
4.如权利要求1～3中任一项所述的制造方法，其特征在于，在30分钟～50小时的范围内实施所述(b)工序。
5.如权利要求1～4中任一项所述的制造方法，其特征在于，在100Pa以下的真空度的环境下实施所述(b)工序。
6.如权利要求1～5中任一项所述的制造方法，其特征在于，在所述被处理体以及所述铝化合物被放入含碳容器中的状态下进行所述(b)工序。
7.如权利要求1～6中任一项所述的制造方法，其特征在于，在所述(b)工序后得到电子密度为3×1020cm-3以上的导电性钙铝石化合物。
8.如权利要求1～7中任一项所述的制造方法，其特征在于，
所述被处理体含有氟(F)成分，
在所述(b)的工序后得到含有氟的导电性钙铝石化合物。
9.一种使用权利要求1～8中任一项所述的制造方法，制造含有导电性钙铝石化合物的成膜用的靶材的方法。
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