[发明专利]半导体器件及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体器件及其制造方法。

背景技术

公知的半导体器件的实例包括壳型的半导体器件(参见非专利文献1)。在这种半导体器件中，安装在元件安装基板上并且容纳在壳中的半导体元件通过导线连接至电极端子。半导体元件和导线借助注入壳中的凝胶密封剂被绝缘密封。

引证文献列表

非专利文献

非专利文献1：针对Cu导线的失效原因以及改善和评价引线接合的可靠性的技术，技术信息研究所有限公司，2011年7月29日，p.163(Causes of Failures and Techniques for Improving and Evaluating Reliability of Wire Bonding Focused on Cu Wires,Technical Information Institute Co.,Ltd.,July 29,2011,p.163)。

发明内容

技术问题

当将密封剂注入到壳中时，气泡会产生在由密封剂构造的密封部中。如果气泡残留在密封部内，则当半导体器件操作时产生在半导体元件中的热量将通过构成密封部的密封剂传送至气泡。这会导致气泡中气体的温度随半导体元件启动/关闭而波动。因此，气泡会热膨胀和收缩，因此使得电流泄漏，由此降低半导体器件的可靠性。

因此本发明的一个目的是提供一种能改善其可靠性的半导体器件及其制造方法。

问题的解决手段

根据本发明的一个方面的半导体器件包括：半导体元件；用于安装半导体元件的基板；用于容纳安装有半导体元件的基板的壳，壳允许密封剂注入其中，用于密封半导体元件；以及形成在壳中的用于将密封剂注入到壳中的密封剂注入路径；而且，在密封剂注入路径中，用于将密封剂注入到壳中的注入端口位于壳内的密封剂的注入区的基板侧。

发明的有益效果

本发明能改善半导体器件的可靠性。

附图说明

图1是示意性说明根据一个实施例的半导体器件的截面图；

图2是示意性说明根据该实施例的半导体器件的壳的平面图；

图3是说明制造根据一个实施例的半导体器件的方法的流程图；

图4是说明在根据该实施例的半导体器件中注入密封剂的步骤的示意图；

图5是示意性说明半导体器件的壳的第一变型实例的截面图；

图6是示意性说明半导体器件的壳的第一变型实例的平面图；

图7是示意性说明半导体器件的壳的第二变型实例的截面图；以及

图8是示意性说明半导体器件的壳的第二变型实例的平面图。

具体实施方式

本发明的实施例的说明

首先，将列出并说明本发明的实施例。

根据本发明的一个方面的半导体器件包括：半导体元件；用于安装半导体元件的基板；用于容纳安装有半导体元件的基板的壳，壳允许密封剂注入其中，用于密封半导体元件；以及形成在壳中的用于将密封剂注入到壳中的密封剂注入路径；而且，在密封剂注入路径中，用于将密封剂注入到壳中的注入端口位于壳内的密封剂的注入区的基板侧。

在这种结构中，密封剂从位于壳内的密封剂的注入区内的基板侧的密封剂的注入端口注入。因此，空气从壳的基板侧被推至与基板相反的侧。这避免了气泡被包括在由注入区中注入的密封剂构造的密封部中或减小这种影响，由此能改善半导体器件的可靠性。

在一个实施例中，在基板的厚度方向上，用于密封剂进入密封剂注入路径的入口位于与基板相反的侧。

在这种构造中，用于密封剂的入口在壳中位于与基板相反的侧。当制造该半导体器件时，通常在基板侧在垂直方向上位于较低位置的状态下注入密封剂。因此，在注入密封剂时，用于密封剂的入口位于较高位置并且能更容易地将密封剂放入入口中。

在一个实施例中，入口在基板的厚度方向上可位于注入区的外部。

在这种构造中，入口在基板的厚度方向上位于注入区的外部。因此，在注入密封剂时，用于密封剂的入口位于比注入区更高的位置，从而即使在入口未封闭时，密封剂也难于流出入口。

在一个实施例中，可设置多个这种注入端口。

在这种构造中，因为设置了多个注入端口，密封剂可够在短时间内注入到壳中。

在一个实施例中，壳可在平面图中具有四边形形式，注入端口位于壳的四个角中的至少一个处。