[发明专利]自偏置电流参考

权利要求书

1.一种用于确定具有浮动栅极的存储器单元的电荷状态的方法，所述方法包括以下步骤：

当耦合到位线的所有存储器单元均被解除断言时，感测所述位线中的第一电流；

将所述第一电流转换为电压；

存储所述电压；

基于所述所存储电压而提供参考电流；

当连接到所述位线的单个存储器单元在其读取操作期间被断言时，将所述参考电流与所述位线中的第二电流进行比较；以及

根据所述参考电流与所述第二电流的所述比较来确定存储于所述单个存储器单元中的位值电荷状态。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述感测所述第一电流的步骤包括以下步骤：当耦合到所述位线的所有存储器单元均被解除断言时，将第一晶体管的栅极及漏极耦合到所述位线。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述将所述第一电流转换为所述电压的步骤包括以下步骤：根据所述所感测第一电流而跨越所述第一晶体管的所述栅极及源极产生所述电压。

4.根据权利要求3所述的方法，其中所述存储所述电压的步骤包括以下步骤：跨越第二晶体管的栅极及连接在一起的源极-漏极耦合所述电压，其中所述电压存储于在所述第二晶体管的栅极与源极-漏极之间形成的电容之间。

5.根据权利要求3所述的方法，其中所述存储所述电压的步骤包括以下步骤：跨越电容器耦合所述电压。

6.根据权利要求4所述的方法，其中所述提供所述参考电流的步骤包括以下步骤：基于存储于所述第二晶体管中的所述电压而借助所述第一晶体管产生所述参考电流。

7.根据权利要求5所述的方法，其中所述提供所述参考电流的步骤包括以下步骤：基于存储于所述电容器中的所述电压而借助所述第一晶体管产生所述参考电流。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述将所述参考电流与所述第二电流进行比较的步骤包括以下步骤：在所述存储器单元已被断言之后，监测与所述存储器单元相关联的所述位线的所述电压。

9.根据权利要求1所述的方法，其中所述确定存储于所述单个存储器单元中的所述位值电荷状态的步骤包括以下步骤：检测与所述经断言存储器单元相关联的所述位线的逻辑状态存在改变还是不存在改变。

10.根据权利要求6所述的方法，其中所述第一晶体管的所述漏极耦合到所述位线，且所述第一晶体管的所述源极耦合到电力供应电压，且存储于所述第二晶体管中的所述电压对所述第一晶体管进行偏置以提供所述参考电流。

11.根据权利要求1所述的方法，其中在所述经断言存储器单元的读取操作期间，使用所述第二晶体管中的所述所存储电压来确定所述参考电流以感测耦合到所述位线的所述经断言存储器单元的所述位值电荷状态。

12.根据权利要求4所述的方法，其中所述第一及第二晶体管为p型金属氧化物半导体PMOS晶体管。

13.根据权利要求4所述的方法，其中所述第一及第二晶体管为n型金属氧化物半导体NMOS晶体管。

14.一种用于确定具有浮动栅极的存储器单元的电荷状态的设备，其包括：

第一晶体管，其具有耦合到位线的栅极及漏极以及耦合到电力供应电压的源极，当耦合到所述位线的所有存储器单元均被解除断言时，其中感测所述位线中的第一电流；

所述第一晶体管将所述第一电流转换为电压；

第二晶体管存储所述电压；

所述第一晶体管基于来自所述第二晶体管的所述所存储电压而提供参考电流；

其中当连接到所述位线的单个存储器单元在其读取操作期间被断言时，将所述参考电流与所述位线中的第二电流进行比较；且

根据所述参考电流与所述第二电流的所述比较来确定存储于所述单个存储器单元中的位值电荷状态。

15.根据权利要求14所述的设备，其中穿过所述第一晶体管的所述第一电流在所述第一晶体管的所述栅极与源极之间产生所述电压。

16.根据权利要求14所述的设备，其中所述电压存储于在所述第二晶体管的栅极与源极-漏极之间形成的电容之间。

17.根据权利要求14所述的设备，其中所述电压存储于电容器上。