[发明专利]半导体装置和显示装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，包括：

基板；

形成在所述基板上的第1金属膜；

至少形成在所述第1金属膜上的绝缘膜；

形成在所述绝缘膜上的半导体膜；

至少形成在所述半导体膜上保护所述半导体膜的保护膜；

形成在所述保护膜上的第2金属膜；

半导体功能部，该半导体功能部至少具有：由所述第2金属膜形成的2个电极部、由所述保护膜形成且具有在与2个所述电极部重叠的位置分别贯通形成的2个半导体功能部侧开口部的保护部、和由所述半导体膜形成且通过2个所述半导体功能部侧开口部与2个所述电极部分别连接并且具有在俯视时与所述电极部的外缘部交叉的外缘部的半导体部；

静电释放配线部，该静电释放配线部由所述第1金属膜形成，配置于在俯视时与所述半导体功能部相邻的位置，沿所述基板的板面且沿与2个所述电极部的排列方向交叉的方向延伸，并且能够使静电释放；

半导体功能部连接配线部，该半导体功能部连接配线部由所述第2金属膜形成，与2个所述电极部中的一个连接，并且沿所述基板的板面且沿2个所述电极部的排列方向延伸从而与所述静电释放配线部交叉；和

静电保护部，该静电保护部至少具有静电引导部，该静电引导部由所述第2金属膜或所述半导体膜形成，在俯视时至少一部分与所述静电释放配线部重叠，且配置在与所述静电释放配线部和所述半导体功能部连接配线部的交叉部位相比相对靠近所述半导体功能部的位置，并且用于引导静电。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

所述半导体膜由氧化物半导体形成。

3.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于：

所述氧化物半导体为包含铟、镓和锌的氧化物。

4.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

所述静电保护部具有第2静电引导部，该第2静电引导部由所述第2金属膜形成，以在俯视时至少一部分与所述静电引导部重叠的方式配置，并且具有与所述静电引导部的外缘部交叉的外缘部。

5.如权利要求4所述的半导体装置，其特征在于：

所述静电引导部在俯视时呈方形状，而所述第2静电引导部配置成其外缘部与所述静电引导部的外缘部至少在4个位置交叉。

6.如权利要求5所述的半导体装置，其特征在于：

所述第2静电引导部形成为：至少具有与所述静电引导部的4边的各外缘部分别平行的4个外缘部，并且相互平行的外缘部间的距离与所述静电引导部的相互平行的外缘部间的距离不同。

7.如权利要求1～6中任一项所述的半导体装置，其特征在于，包括：

第2半导体功能部连接配线部，该第2半导体功能部连接配线部由所述第2金属膜形成，且与所述半导体功能部具有的2个所述电极部中的另一个连接；

第2半导体功能部连接配线部侧绝缘部，该第2半导体功能部连接配线部侧绝缘部由所述绝缘膜和所述保护膜形成，且具有在俯视时与所述第2半导体功能部连接配线部重叠的位置贯通形成的第2半导体功能部连接配线部侧开口部；和

静电释放配线侧连接部，该静电释放配线侧连接部由所述第1金属膜形成，且与所述静电释放配线部连接，并且以在俯视时至少一部分与所述第2半导体功能部连接配线部重叠的方式配置，并且通过所述第2半导体功能部连接配线部侧开口部与所述第2半导体功能部连接配线部连接。

8.如权利要求7所述的半导体装置，其特征在于：

包括第2半导体功能部，该第2半导体功能部至少具有：由所述第2金属膜形成的2个第2电极部；由所述保护膜形成且具有在与2个所述第2电极部重叠的位置分别贯通形成的2个第2半导体功能部侧开口部的第2保护部；和由所述半导体膜形成且通过2个所述第2半导体功能部侧开口部与2个所述第2电极部分别连接的第2半导体部，

所述半导体功能部连接配线部使2个所述电极部中的一个与2个所述第2电极部中的一个短路，而所述第2半导体功能部连接配线部使2个所述电极部中的另一个与2个所述第2电极部中的另一个短路。