[发明专利]高介电性膜

说明书

【技术领域】

本发明涉及高介电性膜。

【背景技术】

关于高介电性膜，由于其相对介电常数高，因而有人提出了将高介电性膜用作电润湿(electrowetting)用膜等的提案。

电润湿是指使用电场使疏水性电介质膜的表面的润湿性(wettability)在疏水性(疏水性)与亲水性之间变化。利用该电润湿，能够驱动配置在上述表面上的导电性液体。该机构能够在没有机械可动部的情况下驱动导电性液体，这一点对于装置的小型化和长寿命化较为有利。因此有人提出了将电润湿器件特别应用于如下各种用途的提案，例如，显示装置中的光学元件、能够使焦距任意变化的液体透镜、以及检查设备中的少量液体的传输等。

但是，这样的导电性液体的驱动需要高电压，其结果，存在装置的消耗电力增高的问题。这妨碍了电润湿器件的实用化。

另外，上述疏水性衍生物膜的表面润湿性用接触角来表示。

已知在施加电压为V时，导电性液体与疏水性电介质膜之间的接触角θ_V由下述数学式来表示。

【数1】

cosθv=cosθ0+ϵ0ϵ2lγLGV2]]>

此处，式中记号的含义如下。

θ_V：施加电压为V时的导电性液体与疏水性电介质膜之间的接触角

θ₀：未施加电压时的导电性液体与疏水性电介质膜之间的接触角

γ_LG：导电性液体的表面张力

ε：疏水性电介质膜的相对介电常数

ε₀：真空中的介电常数

l：电介质膜的膜厚

V：施加电压

如上所述，导电性液体的驱动基于疏水性电介质膜的润湿性的变化，因而由该式可以理解，为了降低驱动导电性液体所需要的电压，需要减小电介质膜的膜厚、或增大介电常数。

但是，当膜厚减小时，容易产生针孔，由此造成容易产生绝缘破坏的问题。此外，以往，作为疏水性膜，有使用由氟材料构成的疏水性膜的示例，但这样的疏水性膜的相对介电常数低(5以下)。

为了解决该问题，例如在专利文献1中提出了下述提案：仅对构成电极的金属的表面进行阳极氧化来形成电介质膜，由此来抑制针孔的发生，能够使电介质膜薄膜化，其结果使驱动电压降低；但希望提供能够在更低的电压下驱动导电性液体的技术。

作为用于解决上述课题的能够在低电压下驱动导电性液体的电润湿用疏水性电介质膜，在专利文献2中公开了含有偏二氟乙烯系聚合物(A)和无机氧化物颗粒(B)的膜。

【现有技术文献】

【专利文献】

专利文献1：日本特开2008-107826号公报

专利文献2：国际公开第2012/108463号小册子

【发明内容】

【发明所要解决的课题】

但是，现有的使用偏二氟乙烯系树脂的介电性膜的介质损耗角正切高，尚未开发出可满足高相对介电常数和低介质损耗角正切这两者的膜。

本发明在于提供具有高相对介电常数和低介质损耗角正切的膜。

【解决课题的手段】

本发明人对于具有高相对介电常数和低介质损耗角正切的膜进行了深入研究，结果发现，以特定比例含有β型结晶结构、包含具有特定组成的偏二氟乙烯/四氟乙烯共聚物的膜具有高相对介电常数和低介质损耗角正切，从而完成了本发明。

即，本发明涉及一种高介电性膜，其特征在于，其含有偏二氟乙烯/四氟乙烯共聚物(A)，该偏二氟乙烯/四氟乙烯共聚物(A)中，偏二氟乙烯/四氟乙烯以摩尔比计为95/5～80/20；并且该高介电性膜由α型结晶结构和β型结晶结构构成，β型结晶结构为50％以上。