[发明专利]半导体传感器器件和制造半导体传感器器件的方法

权利要求书

1.一种半导体传感器器件，包括：

半导体材料的衬底(1)，其具有前侧(4)和相对的后侧(7)；

位于所述前侧(4)的布线层(5)；

位于所述后侧(7)的另外布线层(8)；

连接所述布线层(5)和所述另外布线层(8)的衬底通孔(3)；

传感器层(21)，其布置在所述后侧(7)并且与所述另外布线层(8)电连接；以及

布置在所述后侧(7)上的模制复合物(14)，所述模制复合物(14)用膜片(15)覆盖，所述模制复合物(14)和所述膜片(15)形成了容纳所述传感器层(21)的空腔(17)；

其特征在于：

所述传感器层是被提供用于气体传感器的，在所述传感器层(21)附近将热板(24)布置在所述衬底(1)上或所述衬底(1)中,

其中，所述热板(24)是所述另外布线层(8)的一部分,

其中，凹槽(22)形成在所述衬底(1)中，

其中，热板(24)布置在所述凹槽(22)和所述传感器层(21)之间，以及

其中，所述膜片(15)对液体是不可渗透的，而对气体是可渗透的。

2.如权利要求1所述的半导体传感器器件，其中，所述膜片(15)为聚四氟乙烯或膨体聚四氟乙烯。

3.一种以晶片级封装制造如权利要求1至2中的一项所述的半导体传感器器件的方法，包括：

在具有前侧(4)和相对的后侧(7)的半导体材料的衬底(1)上形成多个半导体传感器器件；

在所述前侧(4)布置布线层(5)；

在所述后侧(7)布置另外布线层(8)；

形成连接所述布线层(5)和所述另外布线层(8)的衬底通孔(3)；

在所述后侧(7)布置多个热板(24)和传感器层(21)，其中所述传感器层是被提供用于气体传感器的；

在所述衬底(1)之上将模制复合物(14)布置在所述后侧(7)上，其中所述模制复合物(14)被构造成形成用于容纳所述传感器层(21)的多个空腔(17)；以及

用膜片(15)覆盖所述空腔(17)，

其中，所述多个热板(24)形成在所述另外布线层(8)中，

其中，在所述衬底(1)中形成有多个凹槽(22)，

其中，每个热板(24)布置在所述凹槽(22)之一和所述传感器层(21)之一之间，以及

其中，所述膜片(15)由对液体是不可渗透的而对气体是可渗透的材料形成。

4.如权利要求3所述的方法，其中，

所述膜片(15)为聚四氟乙烯或膨体聚四氟乙烯。

5.如权利要求3或4所述的方法，其中，

用保护膜临时覆盖所述膜片(15)，这使得能够实现回流焊工艺而不会损害所述传感器层。

6.如权利要求3或4所述的方法，其中，

将所述膜片(15)胶合到所述模制复合物(14)。

7.如权利要求3或4所述的方法，其中，

将所述膜片(15)超声焊接到所述模制复合物(14)。

8.如权利要求3或4所述的方法，其中，

通过使用膜辅助模制工艺以结构化的方式敷涂所述模制复合物(14)。