[发明专利]用于热辅助记录方式的磁记录介质及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及用于热辅助记录方式的磁记录介质及其制造方法。

背景技术

随着硬盘驱动器的记录容量的持续增大，所搭载的磁记录介质的记录密度也不断增高。与此同时，要求磁记录所使用的磁头悬浮高度逐年减小，且磁头和磁记录层间的距离(磁间隔)逐渐减小。减小磁间隔的一个方法是对形成于磁记录层上的保护层进行薄膜化的方法。

保护层，顾名思义起到保护磁记录层的作用，为了不使由金属材料等构成的磁记录层与大气中的水分及腐蚀性气体进行反应而腐蚀，该保护层需要具有较高的耐腐蚀性。此外，磁头以相对较高速度在磁记录介质上移动，并以些许磁间隔悬浮。该磁头对于磁头的悬浮移动需要具有耐久性，以使得即使在该磁头因某种原因与磁记录介质相接触的情况下，磁记录层也不会受到损坏。现在，保护层由DLC(Diamond like Carbon：类金刚石碳)构成，厚度被切薄至3.0nm。

作为应对更高记录密度化的新记录方式，具有热辅助记录方式，该记录方式将在1～2年后到来。热辅助记录方式是如下技术：即，对磁记录介质的表面照射激光等，利用磁记录介质的光吸收所产生的加热、升温，来使磁记录层的矫顽力下降，通过对由磁头所进行的信号写入进行辅助，从而能以更高的记录密度进行磁记录。由此，假设保护层及润滑层接受因上述磁记录层的升温而产生的热传导，被加热至300℃左右以上。因此，对于适用于热辅助记录方式的保护层及润滑层，如上所述，要求即使在因激光的照射而被加热的情况下(以下称为激光加热)也具有耐腐蚀性、耐久性。

实际上，若将热辅助记录方式应用于现有的具有DLC保护层的磁记录介质来写入信号，则保护层及润滑层会因激光加热而产生品质劣化。并会进一步引起因耐腐蚀性的恶化导致异常部位的增大、因耐久性的恶化导致磁记录介质的寿命缩短、破损率上升这样的问题。作为该对策，如专利文献1所示那样，举出了在磁记录层上设置隔热层，然后形成保护层的方法。专利文献1中记载了如下内容：作为隔热层优选使用热传导率较低的SiO₂、TiO₂、ZrO₂等，该隔热层的成膜方法通过将O₂气体作为成膜气体对各材料的靶进行反应性溅射来进行。然而，本发明人了解到，虽然实施了上述方法，但成膜时的O₂气体会使磁记录层氧化，从而磁记录层发生劣化，并不适合实用。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利特开2010－153012号公报

发明内容

发明所要解决的技术问题

本发明的目的之一在于提供一种用于热辅助记录方式的磁记录介质，其应用了具有耐腐蚀性和耐久性、不会使磁记录层劣化、且具有支持热辅助记录方式的耐热性的保护层。

解决技术问题所采用的技术手段

用于解决本发明的技术问题的手段的示例如下所示。

一个示例为用于热辅助磁记录方式的磁记录介质，该磁记录介质具有在非磁性基板上的磁记录层和在所述磁记录层的上部的保护层，其特征在于，所述保护层包含：所述磁记录层的上部的第一下部保护层、所述第一下部保护层上的第一上部保护层、以及所述第一上部保护层上的第二保护层，所述第一下部保护层以从由Si、Al、Cu构成的组中选择的元素作为主要成分，所述第一上部保护层是由所述第一下部保护层的材料的氧化物构成的层。

此处，所述第一下部保护层是热传导率为100W/(m·k)以上的非磁性金属，所述第一上部保护层的传导率在50W/(m·k)以下。

其他示例为用于热辅助记录方式的磁记录介质的制造方法，该磁记录介质具有非磁性基板上的磁记录层和所述磁记录层的上部的保护层，其特征在于，依次进行如下工序：在所述磁记录层的上部设置第一保护层的工序；在所述第一保护层的上部设置第二保护层的工序；以及氧化处理工序，所述第二保护层的膜厚在0.3nm以上、2nm以下，所述第一保护层以从由Si、Al、Cu构成的组中选择的元素作为主要成分。

又一其他示例为用于热辅助记录方式的磁记录介质的制造方法，该磁记录介质具有非磁性基板上的磁记录层和所述磁记录层的上部的保护层，其特征在于，依次进行如下工序：在所述磁记录层的上部设置第一保护层的工序；氧化处理工序；以及在所述第一保护层的上部设置第二保护层的工序，所述第二保护层的膜厚在0.3nm以上、5nm以下，所述第一保护层以从由Si、Al、Cu构成的组中选择的元素作为主要成分。

发明效果