[发明专利]用于D类功率放大器的静电放电保护在审
申请号: | 201380051781.0 | 申请日: | 2013-10-04 |
公开(公告)号: | CN104704633A | 公开(公告)日: | 2015-06-10 |
发明(设计)人: | A·斯里瓦斯塔瓦;E·R·沃莱 | 申请(专利权)人: | 高通股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H02H9/04 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 袁逸 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 功率放大器 静电 放电 保护 | ||
1.一种装置,包括:
放大器,其具有耦合到接口焊盘的输出晶体管;
骤回电源钳位电路,所述骤回电源钳位电路跨所述放大器的第一和第二电源地耦合并且被配置成在静电放电(ESD)事件期间提供跨所述第一和第二电源的钳位电压;以及
触发电路,其耦合到所述输出晶体管,所述触发电路被配置成检测所述钳位电压并且在检测到所述钳位电压时启用所述输出晶体管以提供从所述接口焊盘到所述第二电源的放电路径。
2.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述放大器包括D类功率放大器。
3.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述输出晶体管被配置成充当BigFET。
4.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述骤回电源钳位电路与所述放大器集成。
5.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述触发电路与所述放大器集成。
6.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述触发电路包括配置成响应于检测到所述钳位电压而导通所述输出晶体管的触发晶体管。
7.如权利要求6所述的装置,其特征在于,所述触发电路包括连接在所述第一电源与第一节点之间的电容器、以及连接在所述第二电源与所述第一节点之间的电阻器,所述电容器和所述电阻器被配置成响应于所述钳位电压而在所述第一节点处提供电压。
8.如权利要求7所述的装置,其特征在于,所述触发电路包括反相器,所述反相器连接到所述第一节点并且被配置成响应于所述第一节点处的所述电压而提供启用所述触发晶体管的反相器输出。
9.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述接口焊盘被配置成向片外扬声器输出音频信号。
10.如权利要求9所述的装置,其特征在于,所述ESD事件在所述接口焊盘处发生。
11.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述ESD事件包括最高达8KV的接触事件或者最高达15KV的空气放电事件。
12.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述第一电源被配置为VDD电源,并且所述第二电源被配置为VSS电源。
13.一种设备,包括:
用于放大的装置,其包括用于从接口焊盘输出信号的装置;
用于在静电放电(ESD)事件期间维持钳位电压的装置,所述用于维持所述钳位电压的装置是跨所述用于放大的装置的第一和第二电源地耦合的;以及
用于响应于所述钳位电压而触发所述用于输出的装置以提供从所述接口焊盘到所述第二电源的放电路径的装置。
14.如权利要求13所述的设备,其特征在于,所述用于放大的装置包括用于D类功率放大的装置。
15.如权利要求13所述的设备,其特征在于,所述用于维持的装置与所述用于输出的装置集成。
16.如权利要求13所述的设备,其特征在于,所述用于触发的装置与所述用于输出的装置集成。
17.如权利要求13所述的设备,其特征在于,所述用于输出的装置被配置成充当BigFET。
18.如权利要求13所述的设备,其特征在于,所述用于触发的装置包括:
用于检测所述钳位电压的装置;以及
用于启用所述用于输出的装置以在检测到所述钳位电压时提供所述放电路径的装置。
19.如权利要求13所述的设备,其特征在于,所述第一电源被配置为VDD电源,并且所述第二电源被配置为VSS电源,所述ESD事件在所述接口焊盘处发生。
20.如权利要求13所述的设备,其特征在于,所述ESD事件包括最高达8KV的接触事件或者最高达15KV的空气放电事件。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于高通股份有限公司;,未经高通股份有限公司;许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201380051781.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:发光器件
- 下一篇:碳化硅半导体基板及其制造方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的