[发明专利]制造基于磁电阻的器件的方法

权利要求书

1.一种制造基于磁电阻的器件的方法，所述基于磁电阻的器件具有在第一导电层之上形成的磁性材料层，所述磁性材料层包括(i)第一磁性材料层，(ii)在第一磁性材料层之上形成的第一隧道势垒层，(iii)第二磁性材料层，(iv)在第二磁性材料层之上形成的第二隧道势垒层，(v)在第二隧道势垒层之上形成的第三磁性材料层，所述方法包括：

在所述第三磁性材料层之上图案化第一硬掩模；

去除不受所述第一硬掩模保护的所述第三磁性材料层、所述第二隧道势垒层及所述第二磁性材料层以从第二隧道势垒层形成第二隧道势垒，以及形成第三磁性材料、第二隧道势垒及第二磁性材料的侧面；

在所述第一隧道势垒层、所述第一硬掩模、和所述第三磁性材料、所述第二隧道势垒及所述第二磁性材料的侧面之上图案化第二硬掩模；以及

去除不受所述第二硬掩模保护的所述第一磁性材料层和所述第一隧道势垒层以形成第一磁性材料和第一隧道势垒。

2.根据权利要求1所述的方法，其中去除所述隧道势垒层还去除不受所述第二硬掩模保护的所述第一导电层以形成第一电极。

3.根据权利要求1所述的方法，其中在所述第一隧道势垒层、所述第一硬掩模、和所述第三磁性材料、所述第二隧道势垒及所述第二磁性材料的侧面之上图案化第二硬掩模包括使用自对准技术来沉积第二硬掩模。

4.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在图案化所述第一硬掩模之前图案化光致抗蚀剂层；以及

在图案化所述第一硬掩模之后去除所述光致抗蚀剂层。

5.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在所述第三磁性材料层之上形成第二导电层，并且其中去除不受所述第一硬掩模保护的所述第三磁性材料层、所述第二隧道势垒层及所述第二磁性材料层还包括去除不受所述第一硬掩模保护的所述第二导电层以形成第二电极。

6.根据权利要求5所述的方法，还包括：

在所述第二导电层之上形成光辅助层；

在所述光辅助层之上形成光致抗蚀剂层；以及

在图案化所述第一硬掩模之前，图案化所述光致抗蚀剂层以及所述光辅助层。

7.根据权利要求6所述的方法，还包括：

在图案化所述第一硬掩模之后立即去除所述光致抗蚀剂层以及所述光辅助层。

8.根据权利要求6所述的方法，还包括：

在图案化所述第一硬掩模之后立即去除所述光致抗蚀剂层而不去除所述光辅助层。

9.一种制造基于磁电阻的器件的方法，所述基于磁电阻的器件具有在第一导电层之上形成的磁性材料层，所述磁性材料层包括(i)第一磁性材料层，(ii)在第一磁性材料层之上形成的第一隧道势垒层，(iii)在第一隧道势垒层之上形成的第二磁性材料层，(iv)在第二磁性材料层之上形成的第二隧道势垒层，(v)在第二隧道势垒层之上形成的第三磁性材料层，所述方法包括：

在所述第三磁性材料层之上沉积第一硬掩模层；以及

使用沉积在第一硬掩模层上的图案化的光致抗蚀剂来图案化第一硬掩模层，以提供第一硬掩模；

蚀刻不受第一硬掩模保护的所述第三磁性材料层、所述第二隧道势垒层及所述第二磁性材料层以从第二隧道势垒层形成第二隧道势垒，以及形成第三磁性材料、第二隧道势垒及第二磁性材料的侧面；

在所述第一硬掩模之上和所述第三磁性材料、第二隧道势垒及所述第二磁性材料的侧面之上图案化第二硬掩模；以及

去除不受所述第二硬掩模保护的所述第一磁性材料层和所述第一隧道势垒层以形成第一隧道势垒、和第一隧道势垒及第一磁性材料的侧面，其中所述第一硬掩模包括第二电极。

10.根据权利要求9所述的方法，其中去除所述第一隧道势垒层和第一磁性材料层还去除不受所述第二硬掩模保护的所述第一导电层以形成第一电极。

11.根据权利要求9所述的方法，其中在所述第一隧道势垒层、所述第一硬掩模、和所述第三磁性材料、所述第二隧道势垒及所述第二磁性材料的侧面之上图案化第二硬掩模包括使用自对准技术来沉积第二硬掩模。

12.根据权利要求9所述的方法，还包括：

在图案化所述第一硬掩模之前图案化光致抗蚀剂层；以及

在图案化所述第一硬掩模之后去除所述光致抗蚀剂层。