[发明专利]并有电插入于含磷族元素化物的吸收体层与发射极层之间的薄硫族元素化物膜的光伏打装置

权利要求书

1.一种光伏打装置，其包括：

a)半导体区域，其包括至少一个磷族元素化物半导体；

b)绝缘区域，其电耦合到所述半导体区域，其中所述绝缘区域包括至少一种硫族元素化物且具有在从0.5nm到20nm的范围中的厚度；以及

c)整流区域，其按所述绝缘区域电插入于集极区域与所述半导体区域之间的方式与所述半导体区域整流电连通。

2.一种制造光伏打装置的方法，其包括以下步骤：

a)提供包括至少一个磷族元素化物半导体的半导体层；

b)直接或间接在所述半导体层上形成绝缘层，其中所述绝缘层包括至少一种硫族元素化物且具有在从0.5nm到20nm的范围中的厚度；以及

c)在所述绝缘层上直接或间接地形成额外层，使得所述绝缘层电插入于所述额外层与所述半导体层之间，且使得所述半导体层、所述绝缘层及所述额外层形成所述额外层与所述半导体层整流电连通的光伏打接面。

3.根据以上任何一项权利要求所述的装置或方法，其中所述磷族元素化物半导体包括锌及磷。

4.根据以上任何一项权利要求所述的装置或方法，其中所述硫族元素化物包括锌及硫或i-ZnS。

5.根据以上任何一项权利要求所述的装置或方法，其中所述磷族元素化物半导体及所述硫族元素化物具有I型频带对准。

6.根据以上任何一项方法权利要求所述的方法，其中所述光伏打接面包括MIS或SIS接面。

7.根据以上任何一项权利要求所述的装置或方法，其中所述绝缘层具有在从1nm到15nm的范围中的厚度。

8.根据以上任何一项权利要求所述的装置或方法，其中所述绝缘层具有在从1nm到10nm的范围中的厚度。

9.根据以上任何一项权利要求所述的装置或方法，其中所述绝缘层包括至少一种含锌硫族元素化物。

10.根据以上任何一项权利要求所述的装置或方法，其中所述绝缘层包括选自由以下各者组成的群组的至少一种含锌硫族元素化物：ZnSe、ZnTe、ZnS_1-ySe_y、Zn_1-xCd_xSe、ZnS_1-yO_y、CdS、Zn_1-xCd_xS、Mg_1-xZn_xS及这些的组合。

11.根据以上任何一项装置权利要求所述的装置，其中所述半导体区域包括选自砷化锌(Zn₃As₂)、锑化锌(Zn₃Sb₂)、磷化镉(Cd₃P₂)、砷化镉(Cd₃As₂)、锑化镉(Cd₃Sb₂)及这些的组合的半导体。

12.根据以上任何一项装置权利要求所述的装置，其中所述半导体区域包括p型磷化锌。

13.根据以上任何一项装置权利要求所述的装置，其中所述半导体区域包括p型磷化锌，所述半导体区域包括最接近所述半导体区域与所述绝缘区域之间的界面的磷族元素化物合金。

14.根据以上任何一项装置权利要求所述的装置，其中所述整流区域为包括Mg的金属导体。

15.根据以上任何一项装置权利要求所述的装置，其中所述整流区域包括选自ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnS_1-ySe_y、Zn_1-xCd_xSe、ZnS_1-yO_y、CdS、Zn_1-xCd_xS、Mg_1-xZn_xS及这些的组合的半导体。