[发明专利]用于局部接触半导体元件的基于激光的方法和加工台

权利要求书

1.一种用于局部接触半导体元件(1)的方法，所述半导体元件(1)是光伏太阳能电池的一部分或在光伏太阳能电池制造过程中的前体的一部分，所述方法包括下面的方法步骤：

A在半导体元件(1)的一侧上施加至少一个金属层，

B至少对金属层进行局部加热，从而至少使金属层在局部区域中短时熔化，

其特征在于，

将金属箔(4)用作金属层，

在方法步骤B之后在方法步骤C中去除金属箔(4)的未熔化区域。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在方法步骤A之前的附加方法步骤A-a中，在所述半导体元件(1)的一侧上施加至少一个中间层(3)、优选电介质层，

尤其是，在方法步骤A-a与方法步骤A之间的另一附加方法步骤A-b中——优选借助于激光烧蚀——去除局部区域中的中间层。

3.根据上述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，在接触过程期间同时使所述金属箔(4)形成结构。

4.根据上述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，在接触过程期间的局部加热至少使所述金属箔(4)中产生理论中断位置(11)。

5.根据上述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，在一附加的方法步骤中，作为一结构化步骤至少使所述金属箔(4)中形成理论中断位置(11)。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，在所述结构化步骤之前，使所述金属箔(4)至少部分地在未熔化区域中与半导体元件(1)间隔开。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，通过从下方吹送和/或通过从上方抽吸和/或通过加热使所述金属箔(4)与半导体元件(1)至少部分地间隔开。

8.根据上述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，至少在方法步骤B期间，将所述金属箔(4)张紧到和/或抽吸到和/或吹送到半导体元件(1)上。

9.根据上述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，将多层的金属箔(25)用作金属层。

10.根据上述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，所述方法步骤B通过照射半导体元件(1)的背离金属箔(4)的一侧实现。

11.根据上述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，在所述方法步骤B中使用激光(5)，该激光的射束轮廓在边缘的强度高于在中央的强度。

12.根据上述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，在第一金属化层中借助于根据上述权利要求中任一项所述的方法产生金属的籽晶层(8)，在第二金属化层中强化、优选电镀地强化该籽晶层(8)。

13.根据上述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，所述半导体元件(1)在一侧上具有n型掺杂区域和p型掺杂区域，在方法步骤B中通过以下方式使这些区域电接触，即金属箔(4)局部地在n型掺杂区域和p型掺杂区域中熔化，由此在根据方法步骤C去除金属箔(4)以后存在n型掺杂区域和p型掺杂区域的金属接触结构，

优选地，在另一方法步骤中——尤其通过重复方法步骤A至C——金属地强化金属接触结构(16)，优选在使用第二金属箔(15)的条件下，该第二金属箔具有与之前使用的金属箔(7)不同的金属。

14.一种加工台，尤其用于实施根据上述权利要求中任一项所述的方法，所述加工台具有用于半导体元件(1)的支承区域(18)、至少一个用于金属箔(4)的固定区域(19)和至少一个吹送孔(21)，该吹送孔与吹送通道(22)连接并且设置在固定区域(19)与支承区域(18)之间。

15.根据权利要求14所述的加工台，其特征在于，所述固定区域(19)相对于支承区域(18)环绕地优选设计为抽吸沟槽，该抽吸沟槽与抽吸通道(24)连接。

16.根据权利要求14或15所述的加工台，其特征在于，所述支承区域(18)设计为凹进部，使得在半导体元件(1)放入到凹进部中时所述半导体元件(1)和与该半导体元件侧向地邻接的加工台(17)表面形成平坦面。