[发明专利]基板装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201380053007.3 | 申请日： | 2013-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN104704627B | 公开（公告）日： | 2017-02-15 |
| 发明（设计）人： | 古川博章 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;G02F1/1333;G02F1/1345;G02F1/1368;G09F9/30;H01L23/522;H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京市隆安律师事务所11323 | 代理人： | 权鲜枝 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种基板装置，包含：
第1绝缘膜；
多条配线，其在上述第1绝缘膜的表面上以规定的间隔相邻地延伸；
第2绝缘膜，其以将上述多条配线的各全长的一部分一并覆盖的方式设置，从而在上述多条配线上形成有法面；以及
导电性图案，其形成在上述第2绝缘膜的表面上，
上述基板装置的特征在于，
在上述第1绝缘膜的上述表面，在与上述第2绝缘膜的上述法面相应的位置中的(1)与上述多条配线中的相邻地延伸的2条配线中的至少一方相应的位置或者(2)上述多条配线中的相邻地延伸的2条配线之间的位置形成有开口部。
2.根据权利要求1所述的基板装置，其特征在于，
在上述开口部的底部，存在构成薄膜晶体管的栅极绝缘膜或者缓冲膜。
3.根据权利要求1所述的基板装置，其特征在于，
在上述开口部的底部，存在连接到薄膜晶体管的栅极配线或者与上述栅极配线同层的配线。
4.根据权利要求1所述的基板装置，其特征在于，
在上述开口部的底部，存在构成薄膜晶体管的硅膜。
5.根据权利要求1或2所述的基板装置，其特征在于，
上述开口部设置于在上述第1绝缘膜的表面上以规定的间隔相邻地延伸的每条配线处，各配线沿着在每条配线处设置的开口部的内面横穿该开口部。
6.一种基板装置的制造方法，其中，
上述基板装置包含：第1绝缘膜；
多条配线，其在上述第1绝缘膜的表面上以规定的间隔相邻地延伸；
第2绝缘膜，其以将上述多条配线的各全长的一部分一并覆盖的方式设置，从而在上述多条配线上形成有法面；以及
导电性图案，其形成在上述第2绝缘膜的表面上，
上述基板装置的制造方法的特征在于，包含：
开口步骤，在上述第1绝缘膜的上述表面，在与上述第2绝缘膜的上述法面相应的位置中的(1)与上述多条配线中的相邻地延伸的2条配线中的至少一方相应的位置或者(2)上述多条配线中的相邻地延伸的2条配线之间的位置形成开口部；
配线形成步骤，在上述第1绝缘膜上，形成以规定的间隔相邻地延伸的多条配线；以及
第2绝缘膜形成步骤，以使得上述第2绝缘膜将上述多条配线的各全长的一部分一并覆盖，在上述多条配线上形成上述第2绝缘膜的法面且该法面也形成在上述开口部内的方式，形成上述第2绝缘膜。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于夏普株式会社，未经夏普株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201380053007.3/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
