[发明专利]具有用于负电压操作的隔离式SCR的ESD保护电路

权利要求书

1.一种半导体控制整流器，其包括：

第一经轻掺杂区，其具有第一导电性类型；

第一经重掺杂区，其具有第二导电性类型，形成于所述第一经轻掺杂区内，所述第一经重掺杂区形成所述半导体控制整流器的阳极；

第二经轻掺杂区，其具有所述第二导电性类型，是在第一时间接近所述第一经轻掺杂区而形成；

第二经重掺杂区，其具有所述第一导电性类型，形成于所述第二经轻掺杂区内，所述第二经重掺杂区形成所述半导体控制整流器的阴极；

第四经重掺杂区，其具有所述第一导电性类型，形成于所述第一经轻掺杂区内，且电连接到所述第一经重掺杂区；

第五经重掺杂区，其具有所述第二导电性类型，形成于所述第二经轻掺杂区内，且电连接到所述第二经重掺杂区；

浅沟槽隔离区，位于所述第一经重掺杂区、所述第二经重掺杂区、所述第四经重掺杂区及所述第五经重掺杂区之间并分隔所述第一经重掺杂区、所述第二经重掺杂区、所述第四经重掺杂区及所述第五经重掺杂区；

其中所述浅沟槽隔离区在所述第一经重掺杂区与所述第二经重掺杂区之间被省略；

栅极，形成于所述第一经轻掺杂区与所述第二经轻掺杂区之间的结上方；

掩埋层，其具有所述第一导电性类型，形成于所述第二经轻掺杂区下方且电连接到所述第一经轻掺杂区；

第三经轻掺杂区，其具有所述第二导电性类型，是在第二时间形成于所述第二经轻掺杂区与所述掩埋层之间；

第四经轻掺杂区，其具有所述第二导电性类型，是在第三时间形成于所述第二经轻掺杂区与所述掩埋层之间且电连接到所述第二及第三经轻掺杂区；

其中所述第二经轻掺杂区与所述第三经轻掺杂区、所述第四经轻掺杂区组合形成所述半导体控制整流器的NPN晶体管的基极；

其中所述第一经轻掺杂区与所述掩埋层组合形成所述半导体控制整流器的PNP晶体管的基极，而且其中所述半导体控制整流器形成在具有所述第二导电性类型的基板上，且其中所述第二经轻掺杂区通过所述第一经轻掺杂区与所述掩埋层与所述基板电隔离。

2.根据权利要求1所述的半导体控制整流器，其包括：

金属硅化物层，其形成于所述第一及第二经重掺杂区上方；及

电介质层，其形成于所述第一与第二经重掺杂区之间以防止形成所述金属硅化物层。

3.根据权利要求1所述的半导体控制整流器，其包括耦合至所述第二经重掺杂区的第五经重掺杂区。

4.根据权利要求1所述的半导体控制整流器，其中所述栅极电连接到所述第一经重掺杂区且经由所述第四经重掺杂区耦合至所述第一经轻掺杂区与所述掩埋层。

5.一种半导体控制整流器，其包括：

第一经轻掺杂区，其具有第一导电性类型；

第一经重掺杂区，其具有第二导电性类型，形成于所述第一经轻掺杂区内；

第二经轻掺杂区，其具有所述第二导电性类型，是在第一时间接近所述第一经轻掺杂区而形成；

第二经重掺杂区，其具有所述第一导电性类型，形成于所述第二经轻掺杂区内；

掩埋层，其具有所述第一导电性类型，形成于所述第二经轻掺杂区下方且电连接到所述第一经轻掺杂区，其中所述第一经轻掺杂区延伸至所述掩埋层；及

第三经轻掺杂区，其是在第二时间形成于所述第一经轻掺杂区与所述第二经轻掺杂区之间，其中所述第三经轻掺杂区比所述第一经轻掺杂区浅；且

其中所述第三经轻掺杂区具有所述第二导电性类型且电连接到所述第二经轻掺杂区。

6.根据权利要求5所述的半导体控制整流器，其中所述第三经轻掺杂区具有所述第一导电性类型且电连接到所述第一经轻掺杂区。