[发明专利]用以提供针对存储器装置的电力管理的设备及方法

权利要求书

1.一种设备，其包括：

存储器核心，其具有可经由存取线而操作地存取的存储器单元，所述存储器核心能够以包含至少较低功率读取模式及较低延时读取/写入模式的多个操作模式而操作，其中所述较低功率读取模式相较于所述较低延时读取/写入模式具有较低功耗；及

存取线偏置电路，其经配置以设置与所述存储器核心的取消选定存取线相关联的偏置电平，其中响应于模式信息而设置所述偏置电平以使得所述较低功率读取模式具有针对所述取消选定存取线的第一偏置电平以及所述较低延时读取/写入模式具有不同于所述第一偏置电平的针对所述取消选定存取线的第二偏置电平。

2.根据权利要求1所述的设备，其进一步包括输入节点，所述输入节点经配置以从存储器存取装置接收所述模式信息。

3.根据权利要求2所述的设备，其中所述存储器存取装置包括处理器。

4.根据权利要求1所述的设备，其中所述存取线偏置电路包含线性降压调节器，所述线性降压调节器经配置以在所述模式信息指示所述操作模式从所述较低延时读取/写入模式改变为所述较低功率读取模式的情况下缩减所述存储器核心的所述取消选定存取线上的电压电平。

5.根据权利要求4所述的设备，其中所述线性降压调节器包括在第一与第二电力节点之间排成一行而连接的N型绝缘栅极场效应晶体管IGFET及P型IGFET，其中所述N型IGFET与所述P型IGFET之间的中间节点耦合到所述存储器核心的所述取消选定存取线。

6.根据权利要求5所述的设备，其中：

所述第一电力节点在所述存储器核心的操作期间具有第一电势，且所述第二电力节点在所述存储器核心的操作期间具有第二电势，其中所述第一电势高于所述第二电势；

所述N型IGFET在所述第一电力节点与所述中间节点之间的信号路径中；且

所述P型IGFET在所述中间节点与所述第二电力节点之间的信号路径中。

7.根据权利要求6所述的设备，其中所述P型IGFET具有能够提供从所述取消选定存取线到接地的合适电平的位移电流以支持线性降压调节的大小。

8.根据权利要求5所述的设备，其中所述线性降压调节器进一步包括多个开关，其中：

所述多个开关中的第一开关耦合到所述N型IGFET的栅极节点且所述多个开关中的第三开关耦合到所述P型IGFET的栅极节点，以在所述操作模式包括所述较低延时读取/写入模式的情况下将第一控制电压提供给所述N型IGFET的所述栅极节点和所述P型IGFET的所述栅极节点；且

所述多个开关中的第二开关耦合到所述N型IGFET的所述栅极节点且所述多个开关中的第四开关耦合到所述P型IGFET的所述栅极节点，以在所述操作模式包括所述较低功率读取模式的情况下将不同于所述第一控制电压的第二控制电压提供给所述N型IGFET的所述栅极节点和所述P型IGFET的所述栅极节点。

9.根据权利要求5所述的设备，其中：

所述线性降压调节器进一步包括第一、第二、第三及第四缓冲器，其中：

所述第一缓冲器经耦合以在所述操作模式包括所述较低延时读取/写入模式的情况下将第一控制电压提供给所述N型IGFET的栅极节点；

所述第二缓冲器经耦合以在所述操作模式包括所述较低功率读取模式的情况下将第二控制电压提供给所述N型IGFET的所述栅极节点；

所述第三缓冲器经耦合以在所述操作模式包括所述较低延时读取/写入模式的情况下将所述第一控制电压提供给所述P型IGFET的栅极节点；且

所述第四缓冲器经耦合以在所述操作模式包括所述较低功率读取模式的情况下将所述第二控制电压提供给所述P型IGFET的所述栅极节点。

10.根据权利要求1所述的设备，其中所述存储器核心包括相变存储器核心。