[发明专利]发射辐射的器件在审
申请号: | 201380053921.8 | 申请日: | 2013-10-11 |
公开(公告)号: | CN104718470A | 公开(公告)日: | 2015-06-17 |
发明(设计)人: | 丹尼尔·维纳;康拉德·瓦格纳 | 申请(专利权)人: | 欧司朗光电半导体有限公司 |
主分类号: | G02B5/26 | 分类号: | G02B5/26;H01L33/46;H01L25/075;H01L33/50;H01L33/60 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 丁永凡;高少蔚 |
地址: | 德国雷*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发射 辐射 器件 | ||
1.一种发射辐射的器件(100),所述器件具有:
-至少一个发射辐射的半导体芯片(1),其中每个所述发射辐射的半导体芯片(1)具有辐射出射面(2),所述辐射出射面包括所述发射辐射的半导体芯片(1)的至少一个侧面(3)和主面(4);
-至少一个转换元件(5),其中每个所述转换元件(5)具有辐射出射面(6),所述辐射出射面包括所述转换元件(5)的至少一个侧面(7)和主面(8);和
-设置在至少一个所述转换元件(5)和至少一个所述发射辐射的半导体芯片(1)的下游的第一反射元件(9),其中
-所有发射辐射的半导体芯片(1)的辐射出射面(2)的总和与所有转换元件(5)的辐射出射面(6)的总和的比大于1,
-至少一个所述转换元件(5)至少局部地邻接于至少一个所述发射辐射的半导体芯片(1),
-至少一个所述发射辐射的半导体芯片(1)在运行时产生初级辐射(10),
-所述转换元件(5)将所述初级辐射(10)转换为次级辐射(20),并且
-所述初级辐射(10)和所述次级辐射(20)仅穿过所述第一反射元件(9)离开所述发射辐射的器件(100),其中所述第一反射元件(9)反射所述初级辐射(10)的大部分。
2.根据上一项权利要求所述的发射辐射的器件(100),
其中所述初级辐射(10)的一部分从至少一个所述发射辐射的半导体芯片(1)直接射到所述第一反射元件(9)上并且一部分直接射入至少一个邻接的所述转换元件(5)中。
3.根据上述权利要求中任一项所述的发射辐射的器件(100),
其中在所述第一反射元件(9)上反射的初级辐射(10)至少部分地射到所述转换元件(5)上。
4.根据上述权利要求中任一项所述的发射辐射的器件(100),
其中所述发射辐射的半导体芯片(1)的数量大于所述转换元件(5)的数量。
5.根据上述权利要求中任一项所述的发射辐射的器件(100),
所述器件具有至少两个发射辐射的半导体芯片(1)和唯一的转换元件(5)。
6.根据上述权利要求中任一项所述的发射辐射的器件(100),所述器件具有
-带有第一主面(31)的载体(30),其中所述第一主面(31)包括第二反射元件(32),其中
-至少一个所述发射辐射的半导体芯片(1)设置在所述载体(30)的所述第一主面(31)上,并且
-所述第二反射元件(32)构建为用于反射初级辐射(10)和次级辐射(20)。
7.根据上一项权利要求所述的发射辐射的器件(100),
其中所述载体(30)包括侧壁面(33),所述侧壁面至少局部地邻接于所述载体(30)的所述第一主面(31),其中所述第二反射元件(32)构成在所述载体(30)的所述侧壁面(33),并且所述侧壁面(33)沿横向方向包围至少一个所述发射辐射的半导体芯片(1)。
8.根据上述权利要求中任一项所述的发射辐射的器件(100),
其中所述发射辐射的半导体芯片(1)在运行时发射出自蓝光的光谱范围中的初级辐射(10)。
9.根据上述权利要求中任一项所述的发射辐射的器件(100),
其中所述次级辐射(20)位于可见光的光谱范围中并且具有与所述初级辐射(10)不同的颜色。
10.根据上述权利要求中任一项所述的发射辐射的器件(100),
其中至少一个所述转换元件(5)设置在至少一个所述发射辐射的半导体芯片(1)的主面(4)上并且邻接于至少一个所述发射辐射的半导体芯片(1)所述的主面(4),其中至少一个所述发射辐射的半导体芯片(1)的至少所述侧面(3)不具有至少一个所述转换元件(5)。
11.一种光学投影设备(200),所述光学投影设备具有:
-光源(201),所述光源包括至少一个根据上述权利要求中任一项所述的发射辐射的器件(100);和
-成像的元件(202),其中所述光源(201)设为用于照亮所述成像的元件(202)。
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