[发明专利]波长转换部件及使用其的发光装置

权利要求书

1.波长转换部件的制造方法，该波长转换部件包含多晶陶瓷，其特征在于，包括如下工序：

A)将成为硅源的物质、成为铝源的物质、成为钙源的物质以及成为铕源的物质混合，

B)烧成得到的混合物，得到氧氮化物荧光体粉末，然后

C)烧结该氧氮化物荧光体粉末得到所述多晶陶瓷，

所述烧结的所述氧氮化物荧光体粉末除氧以外具有由组成式(1)表示的组成：

Ca_x1Eu_x2Si_12-(y+z)Al_(y+z)O_zN_16-z  (1)

其中，式中，x1、x2、y、z为：

0＜x1≤3.40，

0.05≤x2≤0.20，

3.5＜y≤7.0，

0≤z≤1，

与由所述组成式(1)表示的氧氮化物荧光体的理论氧含量相比，所述氧氮化物荧光体粉末的氧含量过剩，将由该组成式(1)表示的氧氮化物荧光体的理论质量设为100质量％，该氧的过剩量为1.1～11.5质量％。

2.如权利要求1所述的波长转换部件的制造方法，具有如下工序中的一者或两者：

D)预先调整在所述工序A)中使用的构成所述混合物的成为硅源的物质、成为铝源的物质、成为钙源的物质以及成为铕源的物质中的至少一种物质的氧含量的工序，该工序形成如下的所述混合物的组成：将所述混合物在惰性气氛中烧成得到的所述氧氮化物荧光体粉末除氧以外具有由组成式(1)表示的组成，与由所述组成式(1)表示的氧氮化物荧光体的理论氧量相比，其氧含量成为过剩，

E)在所述烧成工序B)之后，将所述烧成工序B)中得到的所述氧氮化物荧光体粉末在含有氧的气氛中于800～1200℃下热处理，使所述氧氮化物荧光体粉末的氧量增加的氧化工序。

3.如权利要求1或2所述的波长转换部件的制造方法，其中，具有预先调整在所述工序A)中使用的构成所述混合物的成为硅源的物质、成为铝源的物质、成为钙源的物质以及成为铕源的物质中的至少一种物质的氧含量的工序，形成如下的所述混合物的组成：将所述混合物在惰性气氛中烧成得到的所述氧氮化物荧光体粉末除氧以外具有由组成式(1)表示的组成，将该氧氮化物荧光体的理论质量设为基准，与由所述组成式(1)表示的氧氮化物荧光体的理论氧量相比，其氧含量过剩1.1～11.5质量％。

4.如权利要求1～3任一项所述的波长转换部件的制造方法，其中，在所述烧成工序B)之后，具有将所述烧成工序B)中得到的所述氧氮化物荧光体粉末在含有氧的气氛中于800～1200℃下热处理的氧化工序，通过该氧化工序，得到如下的氧氮化物荧光体粉末：将该氧氮化物荧光体的理论质量设为基准，与由所述组成式(1)表示的氧氮化物荧光体的理论氧量相比，过剩的氧含量为1.1～11.5质量％。

5.如权利要求1～4任一项所述的波长转换部件的制造方法，其中，所述x1、x2、y、z为：

0＜x1≤3.40，

0.05≤x2≤0.20，

4.0≤y≤6.5，

0≤z≤1。

6.如权利要求1～5任一项所述的波长转换部件的制造方法，其中，将所述氧氮化物荧光体的理论质量设为基准，所述氧氮化物荧光体粉末的与所述组成式(1)的理论氧量相比的过剩的氧含量为4质量％以下。

7.如权利要求1～6任一项所述的波长转换部件的制造方法，其中，将由所述组成式(1)表示的氧氮化物荧光体的理论质量设为基准，所述氧氮化物荧光体粉末的氧含量大于1.4质量％小于5.0质量％。

8.如权利要求1～7任一项所述的波长转换部件的制造方法，其中，所述成为硅源的物质为非晶氮化硅。

9.如权利要求1～7任一项所述的波长转换部件的制造方法，其中，所述成为硅源的物质为比表面积9m²/g以上的结晶氮化硅。